看准台积电大幅采用 EUV，科磊推电子束图案化晶圆缺陷检测
https://technews.tw/2020/07/21/kla-esl10/
就在晶圆代工龙头台积电已经进入 5 奈米制程量产，并且大量采用极紫外光刻设备（EUV
）的情况下，美商半导体设备商科磊（KLA）于 21 日宣布，推出革命性的 eSL10 电子束
图案化晶圆缺陷检测系统。透过该项新的检测系统，可以发现相关光学或其他电子束缺陷
检测系统无法稳定侦测的缺陷，借此以加快高性能逻辑和内存芯片，其中包括那些依赖
于极紫外光刻（EUV） 技术的芯片的上市时间。
科磊指出，过去的电子束检测系统仅能提供使用者选择侦测供灵敏度或速度，这严重限制
了其实际应用。而 eSL10 采用全新设计，采用了多年研发的多项突破性技术，可提供高
解析和高速的缺陷检测，其性能是市场中任何其他电子束系统都无法比拟的。如此，可以
解决现有检测仪无法解决的问题，这也使得科磊的新型电子束检测仪成为尖端半导体零件
制造生产中至关重要的设备之一。
科磊进一步解释，eSL10 电子束检测系统采用多项革命性技术，使其有能力填补目前关键
缺陷检测的空白。例如，独特的电子光学设计可提供业内最广泛的操作范围，可捕获各种
设备制程中的缺陷。还有，Yellowstone 扫描模式，在每次扫描中收集 100 亿画素的资
料并支持高速运算同时又不会影响分辨率，这样可以在广阔的区域内有效地计算侦测可疑
热点或发现缺陷。
另外，Simul-6 传感器技术通过一次扫描即可收集表面、形貌、材料对比度和沟槽深度等
资讯，减少了在具有挑战性的结构和材料中识别不同缺陷类型所需的时间。而凭借其搭配
的先进人工智能（AI）系统，eSL10 能采用深度学习算法，针对 IC 制造商不断发展的
检测要求进行调整，并将产品性能最关键的缺陷分离出来。
至于，在当前的 3D 产品架构中，包括用于内存的 3D NAND 和 DRAM，以及用于逻辑的
finFET 和闸极全环 （GAA） 晶体管，都使得晶圆厂需要重新考虑传统的缺陷控制策略
。而 eSL10 与科磊的 39xx（Gen5）和 29xx（Gen4）频宽光学芯片缺陷检测系统相结合
，为先进 IC 技术提供了缺陷检测和监控解决方案。借由这些系统组合，使用者将可以提
高良率和可靠性、更快发现关键缺陷，并能够更快地解决从研发到生产的缺陷问题。
另外，科磊还强调，eSL10 架构内置可扩充性，可以在整个电子束检测和量测领域内延伸
其应用。而目前全球已有逻辑、内存和代工制造商采用 eSL10 系统，并用于协助开发
、提升和监测新一代制程和产品制造。
果然！量测还是KLA独大！