楼主:
negohsu (专打不专业环团)
2019-12-03 14:42:47这个问题短短的，但是认真回起来可是会变万言书的。
光阻(photoresist,PR)是用来定义晶圆图案的介质，光线经过光罩.透镜将图案转移至光
阻上，再透过蚀刻将这层图案转印到底下的晶圆上，这就是简单的半导体制作流程。
光罩上的图案，是由光线转印到光阻上，那要怎样才能让图案越来越 小，就是半导体的
制程演进。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....这些就是制程世代中，用来表现制程能力
的代称，在内存(ex:NAND)，这个数字代表BL/WL pitch 的1/2。
要如何让光阻上转印的图型越来越 小，详细请喂狗。总的来说，用波长较短的光是最简
单的。如KrF波长248nm，ArF波长193nm，这些通称DUV。KrF对应的世代是0.15-0.25um，A
rF对应0.13-0.18um
EUV波长为13.5nm，对应的则是则是7nm,5nm或以下。
从130nm - 7nm中间的空缺，则由193i以及多重曝光或多次图型化技术给填上。
对应不同波长的光，就会有不同的光阻，一般你会听到KrF光阻就是给248nm光源使用，Ar
F就是给193nm光源使用。Immersion光阻就是给193i使用。EUV光阻不用我讲吧。
一般来说，7nm，5nm用到EUV，光阻就会跟14nm相异。如果7nm，5nm还是使用193i搭配多
次图型化技术，那跟14nm使用的光阻大致上一样。
当然，光阻会有很多改进。当光波长变短，对应的光阻就会变的更薄更软(对蚀刻的讲法
，就是更不耐蚀刻)。
光阻厂商会做很多的调整，让光阻厚度，均匀度或抗蚀刻能力较佳。也有些调整是有关缺
陷(defect)的改进，同样都是KrF，各家使用也是有所不同。
简单科普，希望有帮到你。
作者: kk123 (￣▽￣) 2019-12-03 16:13:00
☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆
作者:
sdbb (帮我泡杯卡布奇诺)
2019-12-03 16:15:00先推再看，谢谢
作者: JJiaK 2019-12-03 17:26:00
轻轻松松问出技术细节 保密都不用了
作者:
jeff40108 (死得腥羶艳油剂是他)
2019-12-03 17:33:00估狗就有的要保什么密XD
作者:
ssmmll (sml)
2019-12-03 17:42:00保密 XD
作者:
motan (警察先生就是这个人)
2019-12-03 17:51:00感谢科普，文组表示知道了。
作者:
luche (luche)
2019-12-03 17:54:00直接回我 5434现在是便宜还是贵?
作者:
a810086 (乂佛手乂)
2019-12-03 18:11:00认真文推一个，黄光制程基础入门课
作者:
djboy (雞尾酒)
2019-12-03 18:21:00推
作者:
wzmildf (我ä¸æ˜¯è˜¿èŽ‰æŽ§)
2019-12-03 18:52:00这东西随便买一本半导体制程课本应该都有吧..
作者: nastie (奈斯) 2019-12-03 18:54:00
推 用心回复
作者:
double21 (我不是双二一)
2019-12-03 19:07:00对我们门外汉科普一下还是很有用的！感谢！
作者:
maikxz (超级痛痛人)
2019-12-03 19:10:00笑死这细节机密XDDDDDDDDDDDD
作者:
newper (别当Google不存在)
2019-12-03 19:53:00感谢分享，这篇把我的记忆都找回来了XD，我是开篇原PO因为成功转Q，我那本半导体制程早就丢了(不知道华通书局还在不在)
作者:
a810086 (乂佛手乂)
2019-12-03 20:06:00我记得台湾还是有可以自制的半导体光阻，但是良率不好
作者:
faniour (å®…å®…)
2019-12-03 20:18:00依进步的速度，生产对应的光阻，资本支出要很大机台不更新很难做对应的产品另外如果没有一间公司愿意陪练，很难做出成熟产品再加上信心度跟品牌形象问题，很难有后面的竞争者
作者: superex 2019-12-03 20:30:00
推
作者:
dxdy (=ρdρdφ)
2019-12-03 20:33:00谁给你基本知识 这根本是常识
作者:
Qcloud (Direction)
2019-12-03 20:34:00推
作者:
ddiuyxx (ddiuy)
2019-12-03 20:56:00认真文
达兴的不错啊 但仅限于面板业，半导体光阻还是AZ和日商为主
作者:
loveFigo (对酒当歌 人生几何让人受)
2019-12-03 22:05:00推科普
作者:
kurll (狂)
2019-12-03 22:13:00真正的机密是参数设定跟process内容好吗 某楼？
作者: qwe172839 (你何不食屎) 2019-12-03 22:25:00
感谢休息时间不多的黄光弟兄还出一篇好文
作者:
loveFigo (对酒当歌 人生几何让人受)
2019-12-03 22:35:00光阻（PR) 基本上就高分子跟紫外光反应，被UV能量打断键结的部份显影就被洗掉不同波长能量不同，会产生断键反应的键结也不同
作者:
jfsu (水精灵)
2019-12-03 22:44:00BL/WL pitch 的1/2 是DRAM, NAND不是用这个算的唷
作者:
h321123aa (the king of toolman)
2019-12-03 22:46:00这就大方向提一提，机密在哪…
作者:
loveFigo (对酒当歌 人生几何让人受)
2019-12-03 22:56:00其实内存跟logic线宽不能直接对应搞不好内存的19nm design rule 跟logic对应起来接近7nm.(纯举例，详细数字我也不知道
作者: bopanda 2019-12-03 23:40:00
推
作者:
Mei2521 (Mei2521)
2019-12-04 02:15:00机密啥 我上课做的报告都比这详细
作者:
CarlOrz (凯尔)
2019-12-04 02:32:00推
作者:
homer00 (肥宅乡民)
2019-12-04 06:32:00推一下
作者:
mmx9797 (MMX)
2019-12-04 07:39:00隔行如隔山 这真的算常职了
作者:
faniour (å®…å®…)
2019-12-04 08:21:00光阻有正负型的差别大部分的光阻是光酸或光起始剂去跟成份反应高分子比较少做为吸光中心，断裂也是断侧链为主
作者: ato99 (play) 2019-12-04 09:29:00
那同光源为何也有不同光阻的配置是和后续流程有关吗？
作者:
geniusw (silence)
2019-12-04 09:59:00太神啦
作者:
b777300 (su35s)
2019-12-04 11:29:00阴刻跟阳刻
作者:
ngxx (ngx)
2019-12-04 11:32:00机密 ㄎㄎ
作者:
c08371 (梅子站长)
2019-12-04 12:56:00你这段能默写也没办法pass大学部蚀刻课 是要去面试扫地工吗
作者:
loveFigo (对酒当歌 人生几何让人受)
2019-12-04 15:14:00印象中正型分辨率比较好，小线宽几乎都正型？如果同样喊7nm, I皇线宽会比较小后来I皇就出来讲要比单位面积电晶体密度
作者: modkk (魔德轲轲) 2019-12-04 21:06:00
这机密啥？机密是如何做到，不是原理还有AZ已经被并购了，目前唐荣那边主要是做面板光阻，半导体没那么多
作者:
yclt (yeh)
2019-12-05 00:46:00推推
作者:
ISNAKEI (上班好同事，下班不认识)
2019-12-05 10:28:00负光阻用在面板的彩色滤光片比较多
作者:
koibido (阿萨布鲁)
2019-12-05 19:30:00推
作者: carterlin (pango) 2019-12-06 08:16:00
感谢囉 之前看同机台但转layer而有speedloss
作者:
frontseat (运动会变高!!是要这样啊!)
2019-12-06 14:06:00一般台湾研发以为原理是机密?原理不是入门的基本能力吗？偏偏一堆台湾研发连基本原理都不太懂 才会东藏西藏自以为是机密 哈哈