这个问题短短的，但是认真回起来可是会变万言书的。
光阻(photoresist,PR)是用来定义晶圆图案的介质，光线经过光罩.透镜将图案转移至光
阻上，再透过蚀刻将这层图案转印到底下的晶圆上，这就是简单的半导体制作流程。
光罩上的图案，是由光线转印到光阻上，那要怎样才能让图案越来越 小，就是半导体的
制程演进。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....这些就是制程世代中，用来表现制程能力
的代称，在内存(ex:NAND)，这个数字代表BL/WL pitch 的1/2。
要如何让光阻上转印的图型越来越 小，详细请喂狗。总的来说，用波长较短的光是最简
单的。如KrF波长248nm，ArF波长193nm，这些通称DUV。KrF对应的世代是0.15-0.25um，A
rF对应0.13-0.18um
EUV波长为13.5nm，对应的则是则是7nm,5nm或以下。
从130nm - 7nm中间的空缺，则由193i以及多重曝光或多次图型化技术给填上。
对应不同波长的光，就会有不同的光阻，一般你会听到KrF光阻就是给248nm光源使用，Ar
F就是给193nm光源使用。Immersion光阻就是给193i使用。EUV光阻不用我讲吧。
一般来说，7nm，5nm用到EUV，光阻就会跟14nm相异。如果7nm，5nm还是使用193i搭配多
次图型化技术，那跟14nm使用的光阻大致上一样。
当然，光阻会有很多改进。当光波长变短，对应的光阻就会变的更薄更软(对蚀刻的讲法
，就是更不耐蚀刻)。
光阻厂商会做很多的调整，让光阻厚度，均匀度或抗蚀刻能力较佳。也有些调整是有关缺
陷(defect)的改进，同样都是KrF，各家使用也是有所不同。
简单科普，希望有帮到你。