三星电子发表新一代的内存和处理器：Exynos 990、5G Exynos 5123
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三星电子（Samsung Electronic）于2019年10月24日在硅谷举办2019年度科技日（Tech Day 2019），发表了新一代的内存和处理器产品，加速打造未来5G、AI、云端、边缘运算、物联网和自动驾驶车辆等新科技。这一波的产品发表主打的是最新制程打造的高阶系列猎户座（Exynos）990行动处理器、5G调制解调器芯片和第三代10奈米级制程DRAM。
本次发表的产品：
Exynos 990和5G Exynos数据芯片5123：两者采用最先进的三星7奈米极紫外光（EUV）制程生产。处理器方面，运用双核心的神经算子（NPU）构成的AI技术为置装创造前所未有的使用者体验。而数据芯片则是搭载能达到最高每秒7.35兆位元的下载速度并且支援5G毫米波、sub-6Ghz频段的强化版数位讯号处理器（DSP）。
第三代10奈米级制程DRAM：专为服务器平台而设计的大容量DRAM。10奈米级制程DRAM将开启明年(2019)更高规格如DDR5、LPDDR5、HBM2E和GDDR6等内存产品的研发与生产。
12GB LPDDR4X 行动记忆芯片组：整合四个24Gb LPDDR4X芯片和一个嵌入式UFS（通用快闪记忆规格）3.0 NAND快闪存储器于一个芯片组，突破目前在中阶手机市场上8GB芯片组的限制，并将容量10GB以上的内存打入整体手机市场。
三星同时也公布了内存事业下一阶段的规划，包含了即将应用于手机和其他高阶内存解决方案的第七代V-NAND技术，以及采用PCIe Gen5的新一代固态硬盘。
其实，三星在今年（2019）八月曾先发表一款高阶系列行动处理器Exynos 9825，也是采用7奈米极紫外光制程，但990则是采用了新的ARM架构以及支援LPDDR5内存和120赫兹的萤幕刷新率。
今年（2019）是三星第三次举办年度科技日。以图形处理器、PCIe Gen4接口和高频宽内存（HBM2e）等技术共同打造出以未来自动化家庭、资料中心、行动5G通讯和汽车科技为主题的展演活动。
高通及联发科也陆续推出行动处理器
随着，2020年5G手机竞争白热化，同业竞争对手陆续推出行动处理器，还有高通及联发科。高通（Qualcomm）在今年（2019）七月发表的骁龙（Snapdragon）855+，采用的是台积电的7奈米制程、基于相同的ARM架构，但内存的部份仍停留在支援LPDDR4x。而高通Snapdragon 865可能采用三星7奈米极紫外光制程，预计明年（2020）推出。
联发科（MediaTek）方面，即将推出的整合5G调制解调器单芯片（SoC）MT6885和MT6883，将采用台积电7奈米制程生产。