※ 引述《jfsu (水精灵)》之铭言：
: ※ 引述《MSE2005 (混吃等老死)》之铭言：
: : 今天跟友人聊到这话题, 突然有点脑袋当机的fu,
: : 讲到Dram, logic IC, 大家都可以马上反应出是哪些公司在做,
: : 哪些是该领域技术领先者,
: : 但是仔细想想, 对工程师而言, 不管你是在TSMC或是在美光,
: : 一样式做黄光, 蚀刻, 电镀.....
: : 那两者差别在哪?
: : 我可以这样说吗?
: : 同样是木工跟水电, 上面设计师不一样(dram, logic),
: : 所以有些去盖巨蛋, 有些去盖高铁, 有些去盖豪宅,
: : 虽然都是水电木工, 但是后来分化的强项就不一样
: : 还是说, dram比较像是专门生产系统柜的公司,
: : 然后logic比较像是统包监工(室内设计师)要把不同的家具系统柜最美化
: : dram一样有线宽竞争 (虽然该线宽的定义跟logic不同)
: : TSMC一样有接dram的单....所以表示TSMC要发展dram也不是不可能,
: : 那么, 台湾会输掉dram的原因是什么?
: 原文的推文中，其实多少有提到两者的差异性。
: 这样说好了，DRAM或是其他所谓的内存制程，所注重的是〔前段制程〕，
: 即重视元件的制作。逻辑IC所注重的是〔后段制程〕，也就是金属连接线之间的处理
: 例如，使用铜制程或是Low-K的材料减少RC delay，或是使用High-K/Metal-K来减少
: 电晶体闸极漏电流或是加快切换速度。
: 台湾的内存公司并不会将太多的人力投注于后段部份，毕竟，内存产品的重点是在
: 记忆元件(或是称为记忆细胞(cell)，如同大家所熟知DRAM的1T+1C的架构。公司会研究
: 你要用沟渠式(trench)或是堆叠式(stack)去长出好的电容，毕竟，这是DRAM cell的
: 精华所在，如果连cell都长不好，遑论其他的部份。至于DRAM cell以外的周边电路
: 只要可以正常操作就已足够，因为公司也没太多钱让你去烧...。
呵，小弟刚好略懂略懂
这个问题大概每隔一阵子就会人问
然后就不了了之
我刚出来混的时候也有过相同的疑问，跑去问在逻辑厂工作15年经验的学长
只得到一个很简单的答案 : 因为dram layout简单啊，所以台湾才被打趴
那既然这样，为什么5毛没有打趴韩狗人???
拿这两个制程来相比，硬要说谁比较难，其实很像在问岳飞打张飞
这个问题要从电脑的架构开始说起，电脑的架构是冯纽曼设计与实现的
CPU+Dram+硬盘 是这个架构的最根本
彼此无法互相取代彼此的功能
CPU就像工人
Dram是工人的工作台
硬盘是工人的抽屉或仓库
当一个指令来的时候，工人负责运算，运算期间的半成品或结果需要暂时放在工作台上
当完成后的成品则是会送到硬盘存起来
所以前面有人说 nand flash可以取代dram，只能说那是不可能的事
因为你可能没搞清楚什么是flash
nand flash的功能是硬盘的功能
有人说dram重前段，逻辑重后段，这个话其实不对，dram几家大厂早就引进铜制程了
真的要来比low k材料，逻辑可能还输dram(三星有一篇用air gap专利来当low k，好啦，
其实美光海力士都有)
所有的介电常数应该没有比空气更低了吧
我只能说各有千秋，这样比意义不大
: 这些制程考量的差义，自然而然就会反应在电路设计上。
这个你说反了，其实是因为功能性不同，所以电路设计就会不同，导致制程上有差异
因为功能不一样(一个是工人，一个是工作台)，所以电路设计上逻辑不需要电容，少了一
个电容结构，制程上就完全不一样，就像flash多一个浮动闸极，制程上也完全不一样
: (一个使用全新的制程所设计的内存产品从design start到Tapeout可能需要8~12个月
没有喔，一个dram世代开发至少要2年
: 相对而言，逻辑产品可能就短的多了)
: 再者，你也提到一个差异点，好比我们称这是XX奈米的制程，这些数字:
: 对逻辑产品而言，指的是电路布局上的闸极宽度(gate length)
呃，其实对一半，xx奈米制程还要考虑电路中相邻两条线最短的距离(俗称: weak point)
所以不完全是指STI的宽
: 对DRAM产品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
不是哦，dram的xx奈米指的是cell内电容的面积或是闸极的宽度
因为只有cell越小，能存的数据多工作台才会越大
: 对Flash产品而言，指的是相邻两个浮动闸极(floating gate)的距离
好像也不太对。。。Nand flash的xx奈米就是闸极宽
: 这些都是不同的意义。(搞不好，有些人都分不清上述的区别！)
简单来说，xx奈米都是指在该制程上线宽的极限，只是这个极限值有可能是在STI or 电
路 or cell 上
不见得都是指电晶体就是了
: 另外，台积当然可以搞个DRAM制程。别说是DRAM, Flash/PCM/ReRAM也都没问题，毕竟
: 这些内存产品都是相容于CMOS制程，差在于多几层光罩而已。(当然啦，多这几层光
罩
我只能说概念对了，但是不是只有差在光罩而已
你叫台积立马做一个像三星这样只有面积16奈米但是高度要1.2um的结构出来
你在逻辑理面是不可能看到这种结构
如果那么简单，5毛应该早就超英干美干韩了
: 就能搞得你不要不要的~~)
: 只是，这要花多少钱？毕竟公司是以赚钱为目的，内存市场的代工利润是不是够好？
: 产能利用率高不高？市场在哪边?....等等许多因素要考虑。韩国，如三星，几乎是
: 倾尽国力去support这家公司，光是研发费用可能就远远超过台湾所有DRAM厂的某N季
: 的总营收...
: 台湾DRAM厂多半只能寻求欧美日的结盟，签签技转，空个产能出来...毕竟现在
: 要赶上世代的落差已是不可能的事...。
我只能说，你想的太简单了，逻辑可以客制化，dram当然也可以
南华亚也都有客制化的商品
客制化不见得是要最新的技术
总而言之，台湾dram厂会挫败原因不是因为dram制程简单，而是因为一开始走的路线就错
了，没有自主开发(惯老板只想赚快钱，才会被三爽打趴)
后面就只好赚辛苦钱，赚来的钱又拿去买专利，如果对手削价，整个就爆炸了
(其实三爽的七伤拳自己也是伤很重，只有消费者真的赚到)
逻辑厂一开始就是自主开发，所以才会造就gg帝国
如果逻辑厂一开始也是靠买专利，搞不好死的比dram还快
因为逻辑厂没单就是死路一条，dram厂还可以作起来放著等价码好再卖(银根够厚的话，
所以有富爸爸的南亚还活着)
以上如果有错，欢迎高手指正