※ 引述《MSE2005 (混吃等老死)》之铭言：
: 今天跟友人聊到这话题, 突然有点脑袋当机的fu,
: 讲到Dram, logic IC, 大家都可以马上反应出是哪些公司在做,
: 哪些是该领域技术领先者,
: 但是仔细想想, 对工程师而言, 不管你是在TSMC或是在美光,
: 一样式做黄光, 蚀刻, 电镀.....
: 那两者差别在哪?
: 我可以这样说吗?
: 同样是木工跟水电, 上面设计师不一样(dram, logic),
: 所以有些去盖巨蛋, 有些去盖高铁, 有些去盖豪宅,
: 虽然都是水电木工, 但是后来分化的强项就不一样
: 还是说, dram比较像是专门生产系统柜的公司,
: 然后logic比较像是统包监工(室内设计师)要把不同的家具系统柜最美化
: dram一样有线宽竞争 (虽然该线宽的定义跟logic不同)
: TSMC一样有接dram的单....所以表示TSMC要发展dram也不是不可能,
: 那么, 台湾会输掉dram的原因是什么?
原文的推文中，其实多少有提到两者的差异性。
这样说好了，DRAM或是其他所谓的内存制程，所注重的是〔前段制程〕，
即重视元件的制作。逻辑IC所注重的是〔后段制程〕，也就是金属连接线之间的处理
例如，使用铜制程或是Low-K的材料减少RC delay，或是使用High-K/Metal-K来减少
电晶体闸极漏电流或是加快切换速度。
台湾的内存公司并不会将太多的人力投注于后段部份，毕竟，内存产品的重点是在
记忆元件(或是称为记忆细胞(cell)，如同大家所熟知DRAM的1T+1C的架构。公司会研究
你要用沟渠式(trench)或是堆叠式(stack)去长出好的电容，毕竟，这是DRAM cell的
精华所在，如果连cell都长不好，遑论其他的部份。至于DRAM cell以外的周边电路
只要可以正常操作就已足够，因为公司也没太多钱让你去烧...。
这些制程考量的差义，自然而然就会反应在电路设计上。
(一个使用全新的制程所设计的内存产品从design start到Tapeout可能需要8~12个月，
相对而言，逻辑产品可能就短的多了)
再者，你也提到一个差异点，好比我们称这是XX奈米的制程，这些数字:
对逻辑产品而言，指的是电路布局上的闸极宽度(gate length)
对DRAM产品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
对Flash产品而言，指的是相邻两个浮动闸极(floating gate)的距离
这些都是不同的意义。(搞不好，有些人都分不清上述的区别！)
另外，台积当然可以搞个DRAM制程。别说是DRAM, Flash/PCM/ReRAM也都没问题，毕竟
这些内存产品都是相容于CMOS制程，差在于多几层光罩而已。(当然啦，多这几层光罩
就能搞得你不要不要的~~)
只是，这要花多少钱？毕竟公司是以赚钱为目的，内存市场的代工利润是不是够好？
产能利用率高不高？市场在哪边?....等等许多因素要考虑。韩国，如三星，几乎是
倾尽国力去support这家公司，光是研发费用可能就远远超过台湾所有DRAM厂的某N季
的总营收...
台湾DRAM厂多半只能寻求欧美日的结盟，签签技转，空个产能出来...毕竟现在
要赶上世代的落差已是不可能的事...。