三星宣布2018-2020半导体工艺路线图、将导入GAA于3奈米制程
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三星电子刚于2018年9月4日在东京举办了“2018三星晶圆代工论坛（SFF Japan 2018）”
。自2017年，三星晶圆代工部门与三星电子的系统LSI业务分割后，成为独立的基础业务
部门后，每年举辨的论坛，今年是第二次在日本举行，来自日韩半导体制造商和生态系统
合作伙伴等60多家公司约300人参加。
以下摘述论坛主题演讲简报的内容：
三星晶圆代工部门总裁兼业务经理ES Jung表示，最受外界瞩目的3奈米制程，2020年将首
度导入闸极全环（GAA）电晶体，这是下世代电晶体架构，同时搭配极紫外光（EUV）微影
技术，来突破物理限制极限。
依据三星公布的半导体工艺路线图，预计今年(2018)年底前，导入EUV于7奈米制程，启动
8LPP的改进版本（8nm的超低功耗）“8LPU”的生产，FinFET的5nm / 4nm在EUV在2019年
，在2020年执行生产3nm的导入EUV于新材料GAA。
对于5奈米和4奈米，针对FinFET进行了优化（距离最初的7奈米），该公司表示，4奈米将
成为最后一个采用FinFET制造的工艺。
对于7奈米，三星以EUV技术导入的半导体制程，预计2018年下半年投产；2019年将进一步
推出7奈米优化版，即5奈米和4奈米制程。