三星半导体采攻击式投资 平泽园区新厂上看3座 因应景气循环模式变迁、大陆崛起 然供
给恐过剩
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三星集团(Samsung Group)宣布180兆韩元(约1,600亿美元)3年投资计画，其中100兆韩元(
约890亿美元)将用于半导体领域，韩国业界指出，近期三星电子(Samsung Electronics)
半导体部门已开始草拟100兆韩元投资方案，可能于平泽半导体园区再建新厂，若以投资
金额推估，未来三星平泽园区恐出现第二、三座、甚至第四座半导体厂，恐加深市场供给
过剩疑虑。
根据韩媒引述业界消息指出，三星可能不考虑内存供给过剩与价格下滑担忧，决定采取
更积极的攻击式投资，主要在于三星判断半导体景气循环模式已不同于过往，未来仍具有
相当高的成长潜力，加上面对大陆半导体产业强势崛起，三星认为必须以最先进及稳定的
技术，构筑更高的护城河，让大陆业者难以跨过门槛。
三星预期半导体景气循环模式将与过去不同，随着自驾车、人工智能(AI)等工业4.0革命
到来，全球半导体市场需求可望激增，除了目前既有的PC、智慧型手机等产品外，包括自
驾车、云端运算等新兴产业，以及深度学习、神经网络等AI相关技术加速发展，让资料处
理量大增，均将带动半导体市场大幅成长。
此外，面对大陆半导体产业持续崛起，三星决定采取先发制人的攻击式投资策略，藉以拉
大与竞争对手差距，透过扩大投资战略，维持领先者的优势地位。
韩国业界透露，三星半导体部门已开始对100兆韩元拟定投资方案，如果从金额推估，未
来三星可能于平泽半导体园区再建3座半导体厂，三星系于2015年5月决定于占地面积88万
坪的平泽半导体园区内兴建平泽一厂，2017年完工后开始量产3D NAND Flash，投资额约
35兆韩元(约310亿美元)。
三星平泽园区正式启用后，加上三星器兴园区及华城园区，形成全球最大的半导体生产聚
落。韩国业界估计，目前平泽一厂仅使用平泽半导体园区约4分之1的土地，从平泽园区占
地面积来看，未来三星于平泽园区再兴建第二、三座、甚至第四座半导体厂都有可能。
尽管无法得知三星半导体部门规划生产的产品类别，但韩国业界推测三星应会对领先的记
忆体市场先进行攻击式投资，目前三星在全球DRAM与NAND Flash市占皆是第一，市占率分
别为46%与36%，若未来三星在平泽园区再兴建3座新厂，届时内存产业恐陷入供给过剩
困境。
三星内存2017年营收约60兆韩元(约530亿美元)，营业利益约33兆韩元(约290亿美元)，
营业利益率达55%，韩国业界预估，2018年三星内存部门营运表现可望更为亮眼。不过
，尽管三星全力布局AI、自驾车等尖端半导体市场，期望扩大非内存产品阵容，然现阶
段三星半导体事业发展主轴仍可能锁定内存领域。
先前三星电子副会长李在镕回归经营阵线，召集半导体暨装置解决方案事业部(DS)干部会
议，嘱咐必须保持与对手维持大幅度领先。看来若韩国半导体产业不加紧发展，未来也会
如LCD面板一样被大陆超越，因此李在镕才会强调维持大幅度技术差距的重要性。后续三
星除了在平泽工厂2楼进行30兆韩元(约267亿美元)设备投资之外，也会对晶圆代工事业投
入经费。