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2018-08-07 02:45 经济日报 记者简永祥／台北报导
紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先
进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
近期3Ｄ NAND芯片价格走弱，长江存储挟紫光集团资源，投入主流NAND芯片量产，为市场
投下震撼弹，对群联、威刚等NAND概念股影响值得观察。
另一方面，长江存储在先进NAND技术报捷，也将牵动后段封测厂订单状况，南茂先前透过
处分转投资上海宏茂科技股权予紫光集团，成为国内首家与紫光集团搭上合资联盟的业者
，长江存储大量产出后，南茂可望抢食相关封测订单，成为此波大陆大举扩张NAND势力的
受惠台厂。
据了解，长江存储将于今天在国际性快闪存储器指标性盛会“快闪存储器高峰会”（
Flash Memory Summit）正式公布64层3D NAND 芯片专利，向全球展现大陆已具备自主研
发快闪存储器技术能力，并追上主流产品脚步，相关产品预计明年量产，加入全球列强竞
逐快速成长的NAND芯片市场。
消息人士透露，紫光此次选在国际性盛会公布长江存储自行研发的64层3D NAND芯片专利
，等于开放全球内存大厂公开检视长江存储的64层3D NAND芯片技术布建，向全球宣示
大陆在发展快闪存储器的脚步比前一期的32层产品更快，未来将会是3D NAND芯片供应链
的重要一员。
据了解，长江存储董事长杨士宁今天亲自上阵，在美国Santa Clara举行的“快闪存储器
高峰会”正式发表长江存储的64层 3D NAND芯片专利。目前全球仅三星、SK海力士、东芝
、美光、英特尔等大厂有能力生产相关产品。
长江存储宣称32层3D NAND芯片良率已超过九成，不过由于产品市场接受力有限，长江存
储只当做练兵，月产能仅5,000片，预料未来进入64层3D NAND芯片世代将加快量产规模，
届时对NAND市场冲击加深，震撼业界。