三星确认在7nm工艺上反超台积电
台积电已宣布其7nm工艺将在明年初量产，目前普遍预计高通的高端芯片骁龙845会采用该
工艺，不过该工艺并没引入EUV（极紫外光）光刻技术，三星则宣布其将在明年下半年量
产引入EUV光刻技术的7nm工艺，将实现对台积电的反超。
业界普遍认为7nm工艺是一个重要节点，是半导体制造工艺引入EUV技术的关键转折，这是
摩尔定律可以延续到5nm以下的关键；引入EUV工艺可以大幅提升性能，缩减曝光步骤、光
罩数量等制造过程，节省时间和成本。
不过显然引入EUV技术并不容易，其需要投入大量资金购买昂贵的EUV设备，同时需要进行
大量的工艺验证以确保在生产过程中获得较佳的良率，才能以经济的成本适用于生产芯片
。
三星恰恰拥有这个优势，它由于拥有多个产业，可以为它的先进半导体制造工艺提供资金
支持，而它多年来也愿意为此付出巨额的资金；三星也是全球最大的存储芯片生产企业，
可以通过在存储芯片上锤炼先进工艺，例如在过去这三年其就采用EUV技术处理了20万片
晶圆生产SRAM。
台积电作为全球最大的半导体代工企业也有它的优势，由于它一直居于领先地位，获取了
丰厚的利润，这为它持续研发先进工艺提供了资金支持，近两年在三星的逼迫下它正在不
断提升研发投入。
不过由于它采取了更谨慎的态度，在研发先进工艺上稍微保守，在研发16nm工艺的时候它
就先在2014年量产了14nm工艺然后再在2015年引入FinFET工艺，而三星则直接在2015年量
产14nmFinFET首次取得在先进工艺上对台积电的领先优势。
当然这也是因为台积电作为全球最大的半导体代工企业需要确保先进工艺在投产后能满足
客户对产能、性能的需求，而它并没有如三星一样有自己的存储芯片可以锤炼先进工艺。
在14/16nmFinFET工艺上，虽然三星的14nmFinFET生产的苹果A9处理器在面积上较台积电
16nmFinFET生产的A9处理器面积小，体现了三星的优势，但是在功耗和性能方面却较台积
电生产的A9处理器稍逊，体现了台积电在技术研发上的一些优势。
正是由于上述这些原因，导致了台积电在14/16nmFinFET上一再落后于三星。在7nm工艺上
，台积电再次延续了此前的这些做法，它先在明年初量产7nm工艺，然后再在后年引入EUV
技术，以确保该工艺制程的稳步推进，而三星由于拥有资金优势以及其他因素的影响反而
能先于台积电引入EUV技术。
在7nm工艺上的竞争，可能会引发全球两大芯片企业高通和苹果订单的变动，业界传出消
息指高通很可能将其明年的高端芯片骁龙845交给台积电，而三星则可能夺得苹果A12处理
器的订单。
https://www.xcnnews.com/kj/847195.html