格罗方德宣布7奈米制程2018年初推出 并于当年年底量产
全球第二大晶圆代工厂商 GLOBALFOUNDRIES（格罗方德半导体）于 14 日宣布，将推出其
具有 7 奈米制成领先性能（7LP，7nm Leading-Performance）的 FinFET 制程技术，其
40% 的跨越式性能提升将满足诸如高阶移动处理器、云端服务器网络基础设备等应用需
求。设计软件已就绪，使用 7LP 技术的第一批产品预计于 2018 年上半年推出，并将于
2018 年下半年进行量产。
格罗方德指出，2016 年 9 月公司曾宣布将充分利用其在高性能芯片制程中的技术，来研
发自己的 7 奈米 FinFET 制程技术的计画。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP
技术的表现远高于最初的性能目标。与先前使用 14 奈米 FinFET 技术的产品相比，预计
面积将缩一半，同时处理性能提升超过 40%。目前在格罗方德美国纽约的 Fab8 晶圆厂内
，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。
格罗方德 CMOS 业务部资深副总裁 Gregg Bartlett 表示，格罗方德的 7 奈米 FinFET
制程技术正在按照计画开发，预期在 2018 年宣布其多样化的产品将会对客户将有强大吸
引力。在推动 7 奈米制程芯片在未来一年中实现量产的同时，格罗方德也在积极开发下
一代 5奈米及其后续的技术，以确保我们的客户能够在走在最前端使用领先全球的技术。
格罗方德指出，未来将不断投资下一代技术节点的研究与开发。通过与合作伙伴 IBM 和
三星的密切合作，2015 年时格罗方德就已经宣布推出 7 奈米测试芯片，又于近日宣布业
界首款使用奈米硅片晶体管的 5 奈米的样片。目前，格罗方德正在探索一系列新的晶体
管架构，以帮助其客户迈进下一个互联的智慧时代。
格罗方德进一步指出，其新开发的 7 奈米 FinFET 制程技术充分利用了其在 14 奈米
FinFET 制程技术上的大量制造经验，该技术于 2016 年初 2 月 8 日开始在 Fab 8 晶
圆厂中正式生产之后，格罗方德已为广大的客户提供了“一次便成功”的设计。
为了加快 7LP 的量产进度，格罗方德正在持续投资最新的研发设备能力，包括在 2017
年下半年首次购入两组极端紫外线（EUV）光刻工具。不过，7LP 的初始量产的性能提升
将依赖传统的光刻方式，而当具备大量生产条件之际，将逐步使用 EUV 光刻技术。
https://finance.technews.tw/2017/06/14/globalfoundries-7nm-2/