台积战三星 攻次世代内存
晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。台积电这次重返记忆
体市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般快
闪内存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值得密切关注。
台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛，首次揭露台积电研发多年的eMRAM（嵌入式
磁阻式随机存取内存）和eRRAM（嵌入式电阻式内存）分别订明后年进行风险性试产
，主要采用22奈米制程，这将是台积电因应物联网、行动装置、高速运算电脑和智慧汽车
等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。
这也是台积电共同执行长魏哲家向法人表达不会跨足标准型内存，不会角逐东芝分割成
立半导体公司股权后，台积电再次说明内存的战策布局，将瞄准效能比一般DRAM和储存
型快闪存储器（NAND Flash）的MRAM和RRAM。
稍早三星电子也在一场晶圆厂商论坛中发表该公司所研发的MRAM。三星目前也是全球中率
先可提供此次世代内存产品的内存厂，产品技术时程大幅领先台积电，三星的MRAM并
获恩智浦导入。
据了解，台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代内存研发，多年来因难度
高，商业化和竞争力远不如DRAM，导致多家厂商都都仅限于研发。
内存业者表示，次世代内存中，投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化内存
（PRAM）等三大次世代内存，其中以MRAM的处理速度最快，但也是最难量产的内存类
型。
不过，在DRAM和NAND Flash制程已逼近极限，包括无人车、AI人工智能、高阶智慧型手机
和物联网等要求快速演算等功能，是台积电认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供
相关嵌入及整合其他异质芯片技术，进行商业化量产。
https://money.udn.com/money/story/5612/2504234