应材宣布成功导入钴材料取代铜，延续摩尔定律发展先进制程
在当前针对高性能芯片的要求，希望不断提效率，并且降低功耗，提升储存空间的情况下
，透过延续摩尔定律，将先进制程不断的向下发展就成为不可逆的发展方向。而这也是目
前晶圆代工龙头台积电，在当前推出 10 奈米制程之后，陆续规划在 2018 年及 2019 年
陆续推出 7 奈米及 5 奈米先进制程的原因。
不过，随着先进制程往个位数奈米制程发展，则因为当前制程的铜材料导线会因为导电速
率的不足，无法满足个位数奈米制程的需求，使得发展先进制程发展上碰上阻碍。因此，
应用材料在 2014 年就开始研发以钴来取代铜，成为未来先进制程中导线材料的可能。如
今，在 17 日应用材料正式宣布，将在个位数奈米制程节点上陆续导入钴材料，使导线的
导电性更佳和功耗更低，并且让芯片体积得以更小，进一步推动摩尔定律得以延伸推进到
7 奈米，甚至到 5 奈米及 3 奈米以下的先进制程中。
根据应用材料表示，在先进制程中，半导体金属沉积制程进入 7 奈米以下的节点时，要
如何生产连结芯片中数十亿个电晶体的导线电路就成为技术关键。因为同时要扩增芯片上
电晶体的数量，而且还要建立系统整合芯片的封装，因此必须缩小导线，并提升电晶体密
度。只是，在缩小导线的过程中，导线截面积越小，导电体积也跟着减少，这就会使得电
阻增加，使得导电性能下降。所以，要克服这种 “阻容迟滞” 的情况就必须透过新的技
术，包括在阻障层、内衬层等微缩制程上，以及运用新材料来改善导电性的问题。
因此，为了解决芯片内导线的导电性问题，应用材料运用新的钴以取代传统铜材料，并运
用先进的沉积制程技术，同时将物理气相沉积、化学气相沉积和原子层 3 种不同沉积制
程技术，整合在同一设备平台上。运用单一整合程序，制造出复杂的薄膜堆叠结构。用以
确保元件效能更高、良率更佳，并维持客户竞争力与推进技术蓝图的持续发展。
据了解，以钴材料全面取代铜材料当作导线的技术，应用材料预计将可能在 7 奈米制程
中进行先期测试与学习过程，然后在 5 奈米制程上进行全面性的导入。至于，材料的更
换后，在机台设备则可望沿用沿用当前的 Endura 平台，透过进行技术及零件升级，即可
进一步采用钴材料来当作导线材料。
应用材料表示，未来若以钴取代铜成为先进制程上的导线关键材料之后，预期因为导电性
更佳，而且拥有功耗更低等的优点，将可大幅减小芯片体积，使芯片的效能更优越。如此
也能进一步延续摩尔定律，使晶圆制造商如台积电继续发展个位数奈米先进制程。
https://finance.technews.tw/2017/05/18/applied-materials/

钴不是有放射线??，不会危害吗??

收集芯片作核子武器

有放射性的是钴的同位素钴60。半导体产业用钴主要是用在钴的硅化物(cobalt silicide)

1F XD

GG也发布这个讯息，但是没提到AMAT，再对照前面的文...

钴的导电度有比铜好? 应该只是取代某些层吧?

1楼去轮班干设备算了.....

你有先问过设备的意见吗

别小看设备好吗

是有多瞧不起设备= =

设备对不起你吗

3楼专业

有这回事吗 怎么没听说

有料肯干的设备薪水是你坐办公室的两倍还敢笑设备

拍SEM可能要克服磁性材料这关了

CZT ?Intel 有做过

MEOL 啦

我的本意只是想解答疑问，造成一楼的困扰深感抱歉

1F太经典 XD

只是在CuCMP完做个 alloy 而已

钴的导电速率有比较快吗?

设备错了吗 呜呜

1F说了什么?

略懂略懂

1F的问题也还好吧 推文很有事 知道是有比较厉害？