http://technews.tw/2017/04/28/samsung-mram-note-8/
作者 MoneyDJ
次世代内存大战开打,英特尔研发“3D cross point”技术,拟推“PRAM”。三星电子
不甘示弱,发表“MRAM”(magnetoresistant random access memory,磁阻式随机存取
内存),号称读写速度比 NAND Flash 快上一千倍。
fudzilla、IBTimes、韩国经济日报报导,三星 24 日发表“MRAM”,此种次世代内存
兼具 NAND Flash 和 DRAM 的优点,无须电源也能储存资料,而且处理速度极快。三星宣
称,MRAM 是非挥发性内存,采用自旋传输科技(Spin-torque transfer)读写数据,
速度比 NAND 快了一千倍。不仅如此,MRAM 更省电,使用时(active)耗电量比传统记
忆体少,停用时(inactive)更无需用电。
目前次世代内存包括 MRAM、PRAM、ReRAM,其中 MRAM 速度最快,但是量产难度较高。
现在三星只能少量生产,但是预期能尽速克服生产障碍。
三星同时宣布,欧洲大厂恩智浦半导体(NXP Semiconductors)的物联网半导体将采用
MRAM,双方签订晶圆代工协定,将量产 28 奈米的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)。
IBTimes 猜测,倘若三星 MRAM 量产进展顺利,或许今年下半问世的 Galaxy Note 8 就
会内建 MRAM,以便做出市场区隔。MRAM 用于智慧手机可加快处理速度,并更为省电。