【范中兴╱台北报导】晶圆代工厂联电（2303）在先进制程有突破，联电的股东会营业报
告书中指出，去年28奈米制程业绩为前年的4倍，业绩比重为10.3%，至于14奈米制程，联
电除提升内部自行研发的鳍式场效电晶体（FinFET）技术，并与客户合作，完成高效能
FinFET元件开发，SRAM良率已突破瓶颈。
6月7日股东常会
联电将于6月7日召开股东常会，营业报告书去年在先进制程有不错进展，28奈米制程业绩
为前年的4倍，业绩比重为10.3%，40奈米以下比重提升至34%，较前年拉升9.8个百分点。
联电表示，去年投入121.75亿元研发费用，强化研发与制造能力，持续优化28奈米制程技
术，成功开发出低漏电元件，并导入量产，大幅提升客户产品竞争力。至于14奈米制程方
面，联电除提升内部自行研发的FinFET技术，并与客户合作，完成高效能FinFET元件开发
，SRAM（静态随机存取内存）良率已突破瓶颈。
在特殊技术应用方面也有不错进展，联电40奈米嵌入式快闪存储器技术已进入验证，并与
客户持续进行28奈米嵌入式快闪存储器开发；3D IC部分，成功开发出TSV（
Through-Silicon Via，直通硅穿孔）已进入量产；另外，联电微机电（MEMS）客制化麦
克风元件也已累积出货超过2亿颗规模。
联电去年获利134.5亿元，每股纯益1.08元，董事会决议配发0.55元现金股息。而股东会
也将讨论12.75亿股私募案，联电指出，为寻求与国内外厂商进行半导体技术合作或策略
联盟机会，同时充实营运资金以因应未来营运所需，惟目前仍无具体方案。
http://www.appledaily.com.tw/appledaily/article/finance/20160519/37222911/