ARM携手台积电 首款10奈米FinFET 多核心测试芯片问世
http://technews.tw/2016/05/19/arm-and-tsmc/
全球 IP 硅智财授权厂商ARM ，19 日宣布首款采用台积电 10 奈米 FinFET 制程技术的
多核心 64 位元 ARM v8-A 处理器测试芯片问世。模拟基准测试结果显示，相较于目前多
用于多款旗舰高阶手机运算芯片的 16 奈米 FinFET+ 制程技术，此测试芯片展现更佳运
算能力与功耗表现。
此款测试芯片已成功获得验证（2015 年第 4 季已完成设计定案），为 ARM 与台积电持
续成功合作的重要里程碑。此一验证完备的设计方案包含了 EDA 工具、设计流程及方法
，能够使新客户采用台积电最先进的 10 奈米 FinFET 制程完成设计定案。此外，亦可供
SoC 设计人员利用基础 IP (标准元件库、嵌入式内存及标准 I/O ) 开发最具竞争力
的 SoC ，以达到最高效能、最低功耗及最小面积的目标。
ARM 执行副总裁暨产品事业群总经理 Pete Hutton 表示：“高阶行动应用 SoC 设计的最
高指导原则就是低功耗，因为现今市场对装置效能的需求日益高涨”。 Pete Hutton 进
一步指出，“台积电的 16 奈米 FFLL+ 制程与 ARM Cortex 处理器已奠定低功耗的新标
准。我们与台积电在 10 奈米 FinFET 制程技术的合作，可确保 在 SoC 层面上的效率，
使客户在维持严苛的行动功耗标准下，同时能够有余裕发展更多的创新。”
台积电研究发展副总经理侯永清表示：“透过与 ARM 合作，使我们在制程技术与 IP 的
生态系统上能快速地进展，并加速客户的产品开发周期。”侯永清进一步强调，“我们联
手定义处理器技术，持续促进行动通讯市场的发展，最新的努力成果就是结合 ARM 处理
器与台积电 10 奈米FinFET 技术，为各种高阶行动装置及消费性电子产品的终端使用者
带来崭新体验。”
此款最新的测试芯片是 ARM 与 台积电长期致力于先进制程技术的成果，植基于 2014 年
10 月宣布的首次 10 奈米 FinFET 技术合作。ARM 与 台积电共同的 IC 设计客户亦获
益于提早取得 ARM Cortex-A72 处理器的 ARM Artisan 实体 IP 与 16 奈米 FinFET+ 设
计定案，此款高效能处理器已获当今多款畅销高阶运算装置采用。

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