Re: [情报] 自强基金会-半导体制程实作

楼主: katzlee (I wish)   2015-09-02 19:09:08
想请教一下各位专业的前辈,小弟刚转行做IC设计的FAE,工作内容主要分析客户的异常,上这门课对工作的专业性有帮助吗?
PS: 我是做Driver ic的。
※ 引述《a6931791 (Allen Coak)》之铭言:
: ============================================================================
: 【课程名称】 半导体制程实作(2015/09/12-09/20)
: 【课程代码】 04O003
: 【上课时间】 2015/09/12起,至9/20日止,每星期(六、日) ,
:         共2周, 09:00~16:00
: 【课程主旨】 借由简易的NMOS实做,学员可实际操作半导体相关的设备,
:         如炉管、黄光、清洗蚀刻、量测及镀膜设备等,并于课程中
:         做进一步相关设备及制程原理的解说,使初步接触半导体的
:         学员能对半导体制程有更进一步的认识。
: 【课程特色】 1.可实际操作半导体制程相关设备。
:         2.自己做好的晶圆可携带回家。
:         3.结业证书 符合"清大奈材中心"或"NDL"或
: "交大奈米中心"申请设备自行操作要件之一。
: 【修课条件】 半导体最基础的实作,无科系或工作领域限制。
:         但最好是大专以上理工科系毕或半导体、 微机电、
:         面板相关工作,具半导体制程概念者为佳。
: 【咨询专线】 03-5722644 张营煌先生 yhchang@tcfst.org.tw
: http://edu.tcfst.org.tw/query_coursedetail.asp?tcfst=yes&courseidori=04O003
: ============================================================================
: 【课程大纲】  1.第一节课(3小时)
:          NMOS制程流程解说
:          标准清洗
:          晶圆旋干机旋干
:         2.第二节课(3小时)
:          高温热氧化制程Field oxide(SiO2) 500nm
:          二氧化 硅厚度量测(nanospec)
:          椭圆仪厚度量测
:         3.第三节课(3小时)
:          黄光制程,第一道光罩
:          BOE湿蚀刻
:          硫酸+双氧水去光阻
:         4.第四节课(3小时)
:          高温磷扩散
:          含磷氧化层湿式蚀刻
:          四点探针量测、二氧化硅蚀刻
:          高温热氧化制 程Gate Oxide 50nm
:         5.第五节课(3小时)
:          黄光制程,第二道光罩
:          BOE湿蚀刻
:          硫酸+双氧水去光阻
:         6.第六节课(3小时)
:          溅镀铝金属膜PVD:Al Deposition(RF-Sputter)
:          表面轮廓仪量测
:         7.第七节课(3小时)
:          黄光制程,第三道光罩
:          Al Etching
:         8.第八节课(3小时)
:          晶圆切割
:          雷射切割
: ============================================================================
作者: sasanmo (普利斯特蘑)   2015-09-03 02:51:00
这门课做的是wafer,你分析的是已经封装好IC应用异常,关联性薄弱
作者: PECVD (PECVD)   2015-09-03 09:55:00
作driver ic的转作 fae 喔?比较少见耶!有原因吗?ic异常分析,常见的应该就直接找闳康宜特找emmi之类的要找到制程方才能解决的问题比较少

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