[请益] 关于D ram 厂目前的device hellowworld PTT批踢踢实业坊

楼主: hellowworld (hello~world) 2015-05-12 23:41:22

众所皆知，d ram 厂的微缩速度比ㄧ搬晶圆
代工厂快，那想请问现在在d ram 厂的RD
devices team ，以后d ram 也会用finfet
device, 或是继续跟着台积device 10/7
nm 的走向吗？

作者: hotsaucecing (熊熊王子) 2015-05-13 00:05:00

不会

楼主: hellowworld (hello~world) 2015-05-13 00:15:00

请问楼上，那还是用planer mosfat吗？那这样如何微缩下去呢？

作者: FinFET (al) 2015-05-13 00:46:00

会问这问题表示你不熟元件

作者: FayX (不要服尔而让....) 2015-05-13 00:52:00

FinFET本人都出来了!!

作者: sugoi5566 (斯勾以内 Asia No.1) 2015-05-13 01:13:00

Capacitance 和 transistor 不同

作者: Godmyfriend (XD) 2015-05-13 01:19:00

Field Effect Transistor 抱歉有错字就想纠正的习惯

作者: outzumin (阿呆铭) 2015-05-13 06:16:00

基本元件不同FinFET vs floating gate FET m06xu3u,31j4原理也不同 FinFET要降漏电 floating gate要调VthDRAM用FinFET要怎么存资料?作业自己写吧

楼主: hellowworld (hello~world) 2015-05-13 11:04:00

想问的是说，以往当做d ram开关的 MOSFET 会被新的finfet之类来取代了吗？

作者: jannine (小肥羊) 2015-05-13 12:27:00

为什么要空那么大一格..

作者: octy (only) 2015-05-13 16:24:00

应该是拉长音的概念~

作者: maja5 2015-05-13 20:19:00

现在cell transistor 就已经是类似finFET的概念了6F2早就脱离planer transistor的设计了

作者: sambible (Sameal) 2015-05-14 00:40:00

我待过imi 跟ntc 6f2 有脱离吗？MU 是利用斜排放式挤6f2Dram 跟flash 算HF logic 算min size但是目前台湾 T & U 微影制程屌打台湾dram, 众所皆知

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