请问一下
DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反应式离子蚀刻)设备
它可以在硅基板蚀刻出具有高深宽比，及良好垂直侧壁
但如果想要在整片Wafer蚀刻出来的结果，深度要维持一致性
例如蚀刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蚀刻的深度误差要控制在1μm以下
即199μm~201μm之间，目前做出来的结果不容易达到，
侧壁也能达到几乎接近90°
请问有什么设备机台，或是有更高阶的设备，或产学单位可以达到这样的规格要求呢？
谢谢。
补充：或是有蚀刻设备的厂商也请提供。目前知道辛耘。