三星量产 TSV DDR4 模组!速度快一倍、用电省一半
http://technews.tw/2014/08/27/samsung-ddr4/
DDR4 时代逐渐来临!三星电子(Samsung Electronics)27 日宣布开始量产业界首见的
直通硅晶穿孔(Through-Silicon Via,TSV)封装的 DDR4 模组,速度较前代快上一倍,
用电量却只要一半。
韩联社报导,三星公关主管 Kim Ki-hoon 表示,TSV 技术能直接传送数据,可大幅提升
效率。新推出的 DDR4 为 64GB,供服务器使用,由 36 个四层芯片组成,每个芯片内含
4 个 4 gigabit DRAM。三星表示,TSV 技术还能堆叠更多芯片,模组容量可大于 64GB
。
三星称量产 TSV DRAM 模组可让该公司称霸高阶 DDR4 DRAM 市场,也能为今年下半推出
的次世代中央处理器,提供高效解决方案,该公司将于下半年生产 64GB 以上的高阶
DDR4 模组。三星估计,今年全球 DRAM 市场达 386 亿美元,其中服务器需求约占 20%,
预估云端运算盛行会带动高阶 DRAM 需求。
Tech 2 网站 13 日报导,英特尔(Intel)X99 平台预料会在 9 月的英特尔开发者论坛
亮相,会场发表的 8 核心桌电处理器 Haswell-E 和 X99 平台都可能会采用 DDR4 记忆
体。Techgage 报导,DDR4 价格高昂,以 Crucial 的 DDR4 模组为例,价格较 DDR3 高
出 60% 以上。
ValueWalk 20 日公布 Capital Cube 分析师 Veibha Subramaniam 报告,当前市面智慧
手机使用的 DRAM 多为 DDR3 芯片。三星、美光、SK 海力士布局次世代科技,均开始量
产 20 奈米制程的 DDR4 芯片,以便用于新 iPhone 和 Android 智慧手机。华亚科将于
今年底量产 DDR4 芯片,南科可因持有华亚科股权受惠。
(MoneyDJ新闻 记者 陈苓 报导)