※ 引述《cookies12 (饼干的饼干藏在饼干盒里)》之铭言：
: 想请问一下
: DRAM场跟一般逻辑电路厂(台积、联电)
: 学到的半导体制程是很不一样的吗，就是不能跳来跳去这样?
: 还有就是逻辑做到22nm，DRAM是没做到那么小吗?
: 还有一个选工作的问题
: 当工程师做电性分析与做制成整合
: 哪种比较好学到的有用的东西(认为是好升迁转公司的)!
: 万分感谢你
睡饱了，来简单回答一下你的疑问
1.半导体制程在互通的情况下能否互跳
一定可以互跳，差别只在于机台使用以及Rule的改变
但整个制程的定位不变
2.逻辑跟DRAM技术上不一样能否互通
可以互通，即使是22nm制程，也不是每个客户的专案都会用最先进制程
所有晶圆厂都有数种标准制程可供客户选择
3.电性分析与制程整合哪个有用
电性分析的单位要在完成制造后上阵
PIE 转 分析单位就像是RD转FAE一样，拥有加分作用
假设分析一组Icc漏电流过高，你若是知道这个元件经过哪些制程手法处理
透过x-ray或是切die的方式，就可以确认在哪个环节出现问题
甚至观看表面Pattern 也可以找到疑似burn out的痕迹
最后可以追到哪个时间点哪个module在什么时候改了机台哪组Recipe造成的
或是Design Rule是OK的但对该产品是不利的(如电阻宽度符合Rule但应用上仍嫌过小)
我觉得版上其他人都离题太远
制程技术不是三言两语就能解释，同一个产品放在不同代工厂
即使用95%相似的Design Rule都会有不同程度的差异(5%是买断或独占的专利技术)
光是一个换酸时间与浓度不同就能造成一堆难以预期的问题
还有AP供应商的差异，机台新旧程度，机台厂商客制化程度等等因素
不过我知道Design House 的RD应该是会觉得没有差
因为晶圆厂永远不会给出有问题的WAT Report