看到推文有人提到channel材料 我好奇问个技术问题
既然现在Oxide都是High-k用"长"的了
那channel也不一定要用Silicon了吧?
以前是因为SiO2容易长出品质好的Gate绝缘层
但现在可以用迁移速率更快的III-V族 或是其他材料吧?
当然也许非Si的wafer比较贵
但也许哪天应该会有人有办法在Si substrate长出其他半导体材料层
例如GaAs-on-Si之类的wafer
这样就不用光靠缩短gate length来提升效能
不晓得除了学术研究外 商业上有人做这块吗?
※ 引述《sample0620 (消失的下雨天)》之铭言：
: 英特尔：持续追求摩尔定律 14奈米制程按计画进行
: http://tinyurl.com/bhb8ymn
: 2012/12/05-陈玉娟
: 全球半导体产业制程军备竞赛激烈，英特尔(Intel)、台积电与三星等纷砸下重金增强战力
: ，英特尔(Intel)技术长Justin Rattner于4日来台时再次重申英特尔在半导体制程领先地
: 位，14奈米制程计画按既定进度进行中，未来1、2年内就可正式量产，而18吋晶圆布局也
: 与合作伙伴紧密合作开发中。
: 此外，英特尔也对摩尔定律(Moore's Law)坚持不懈的追求，也就是电晶体数目每2年就会
: 倍增的高科技产业定律，可以再延续到未来10年。
: 英特尔于2011年5月时正式揭露3D、三闸 (Tri-Gate )电晶体重大突破，22奈米Ivy Bridge
: 即为首批采用 3D、三闸电晶体的量产芯片，也让英特尔稳居半导体产业龙头地位，而英特
: 尔为力守制程技术领先地位，全力产出效能更高且省电的芯片，先前已释出相关制程蓝图
: ，包括2013年底将会进入代号分别为P1272、P1273的14奈米CPU及SoC世代，并加码投资位
: 于Oregon的D1X Fab、Arizona的Fab 42及Ireland的Feb 24晶圆厂，2015年起按既定计画进
: 入10奈米、7奈米与5奈米制程研发生产。
: 英特尔在每世代技术也都会有重大突破，例如32奈米导入高介电金属闸极(HKMG)，22奈米
: 则采用3D、三闸电晶体技术，14奈米也将导入全新技术。
: 不过，包括台积电、GlobalFoundries与三星等全球晶圆代工大厂也不是省油的灯，先前也
: 大举释出下世代制程规划，其中，相当积极的三星，预计2013年将进入20奈米制程世代，
: 14奈米制程也按既定计画进行，而台积电20奈米在2013年下半就可进入小量生产阶段，首
: 款3D架构FPGA芯片也会登场，除既有客户NVIDIA、超微(AMD)、高通(Qualcomm)等大厂将在
: 2013年上半进入tape-out外，苹果A7应用处理器接单进度备受关注。
: 此外，企图心十足的GlobalFoundries先前则宣称14奈米FinFET制程技术将在2013年底试产
: ，2014年量产，可望领先联电和三星，且进一步挑战台积电与英特尔，不过，由于英特尔
: 、台积电在制程技术上拥有显著领先差距，资本支出即便面临全球不景气也不缩减，
: GlobalFoundries、三星等欲追上难度甚高。
: 值得注意的是，英特尔全面投入晶圆厂扩建与14奈米等先进制程技术布局，然随着PC市场
: 动能大减，市场也揣测英特尔在自有产品线恐难填满所有产能，下一步可能将大举发展晶
: 圆代工服务，与台积电、三星争食晶圆代工大饼。
: Rattner就表示，英特尔在半导体制程技术上稳居领先地位，14奈米及之后的10奈米、7奈
: 米制程开发进度相当顺利，英特尔不仅是提升制程技术，同时也兼顾微架构改良，而英特
: 尔持续遵循摩尔定律，电晶体数目每2年就会倍增的高科技产业定律，可以再延续到未来10
: 年。
:
: 在18吋晶圆布局方面， 英特尔先前已宣布投资荷兰设备大厂ASML，主要是看好EUV微影技
: 术，然按目前进度来看，英特尔18吋晶圆及EUV微影可望在2017年前投产，也是居于领先地
: 位。
: 虽然制程技术输很大
: 但是2330还是要加油!!!
: 台湾现在只有靠你们在上面撑了
: 英特尔里面的工程师都是天才吗
: 还是外星人
: 怎么那么利害