原文标题:梁孟松操刀 传中芯以DUV开发3奈米
※请勿删减原文标题
原文连结:https://bit.ly/3NE50t0
※网址超过一行过长请用缩网址工具
发布时间:2023/12/23 07:43
※请以原文网页/报纸之发布时间为准
记者署名:〔记者吴孟峰/综合报导〕
※原文无记载者得留空
原文内容:
据《日经新闻》报导,尽管中国中芯国际由于美国制裁而无法获得先进的芯片生产设备,在
开发7奈米制造后,据称已成立一个研发团队,致力于5奈米和3奈米级制程技术研究,据两
位知情人士透露,该团队由联合执行长梁孟松领导。
梁孟松是台积电前资深研发处长,他于2009年初离开台积电后,率多位团队成员投效韩国三
星,涉泄漏台积电营业秘密及人事资料,之后又被中芯国际挖角,2017年担任中芯联合首席
执行官,替中芯开发7奈米制程技术,对于被外界称为台积电叛将,他曾不满被贴上标签,
哽咽表示为台积电卖命16年。
不过,台积电前首席法律顾问杜东佑(Dick Thurston) 今年早些时候曾告诉科技媒体EE T
imes,他说 :“没有比这个人(梁孟松)更聪明的科学家或工程师了”、“他确实是我在
半导体领域见过的最聪明的人之一”。
中芯国际从中国的一家小型代工厂到成为业界第5大芯片代工商,在中美关系日益紧张的情
况下,该公司被列入美国商务部实体名单,无法使用领先的晶圆厂工具,严重减缓新制程技
术的采用和发展进度。
科技媒体tomshardware报导,由于中芯无法从ASML获得极紫外线(EUV)曝光设备,因此只
能借重第二代7奈米制程深紫外线(DUV)曝光机。目前,ASML的Twinscan NXT:2000i曝光机
是中芯所拥有的最好的工具,可以蚀刻精细至38nm的生产分辨率,精度等级足以适用7奈米
级制造。根据ASML和IMEC的数据,在5奈米制程中,金属间距缩小至30–32nm,在3奈米制程
中,金属间距则降至21–24nm。
Thurston认为,在联合执行长梁孟松的领导下,中芯可以在不使用EUV工具的情况下生产5奈
米芯片,虽然业界也已多次听到这类消息,然而,从媒体上传出中芯有能力设计以DUV制造3
奈米级,这可能还算是第一次。
心得/评论:
中国又赢了?
大哥会紧张吗?还是天方夜谭?
话说如果靠功耗真的可以堆出高效能。牙膏厂的14+++很厉害
不计生产成本的,良率高低,用DUV Double / Triple patterning 量产的半导体厂真令人
羡慕
※必需填写满30正体中文字,无意义者板规处分
作者: b1izzard2000 (OGC) 2023-12-23 11:51:00
成本成本成本
作者: zombiepigman 2023-12-23 11:55:00
真的完蛋了有毁灭台积的使命感吗?
作者: yamahara6026 (风) 2023-12-23 12:38:00
钱对梁没吸引力,他只是为了要复仇GG
理论上用人工也能雕出3nm啊,问题是花多久、多少钱
作者: fallinlove15 2023-12-23 18:09:00
你可以去了解一下DUV做出来的只有规格类似 不说成本很高 良率很低 实际上效能也很惨 这些都是物理上的限制 不要看到数字就高潮