原文标题：疑机密投影片外泄 台积电N3E制程良率超乎预期
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发布时间：2022-8-24
原文内容：
台积电3奈米升级版N3E制程传出良率进度超出预期，其中256Mb SRAM平均良率约80%，行
动与高效能运算（HPC）逻辑测试芯片的平均良率也接近80%，而良率验证的环形振荡器（
R.O）则超过92%。
知名科技网站《Tom’s Hardware》爆料，近日中国微博流传一张疑似台积电内部投影片
，显示N3E制程进展良好，N3E SRAM的良率明显高于N3，图表显示256Mb SRAM平均良率约
80%，行动与高效能运算（HPC）逻辑测试芯片的平均良率也接近80%，而良率验证的环形
振荡器（R.O）则超过92%。
《Tom’s Hardware》指出，N3E制程进展良好的消息，并不让人意外，称台积电以改良过
的制程视窗（Process Window）设计N3E，电晶体密度略低，这自然带来更高的良率；报
导同时指出，N3E还有更快的时脉速度及更少的耗电量。
日前台积电法说会曾透露，高效能运算（HPC）仍是驱动公司未来成长的动能，3奈米等先
进制程规划今年下半年量产，明年上半年开始贡献营收，3奈米家族的N3E制程，规划明年
下半年量产；更先进的2奈米制程采用GAA技术，将较N3E效能提高20%左右，规划2024年试
产，2025年展开量产。
心得/评论：
如果消息是真的
良率超乎预期 又要提前量产的话
我大台积要给空蛙最后一击
带着台股重返万八了吗？？？