原文标题:
中国即使在尖端制程落后三至四代 可从关键第三代半导体拉长战线作战
(请勿删减原文标题)
原文连结:
https://bit.ly/3H9PlfK
(网址超过一行过长请用缩网址工具)
发布时间:
2022年1月24日
(请以原文网页/报纸之发布时间为准)
原文内容:
多年来,中国一直在积极发展半导体产业,至今砸下数十亿美元的巨额资金。但市场研究
机构IDC认为,受限于美国大力阻扰中国发展科技产业之下,中国在半导体在尖端制程上
至少落后3、4代,要实现自给自足的科技产业链还有很大一段距离。
另外,根据美国半导体产业协会(SIA)报告,未来几年中国公司的全球芯片销售额将呈
现快速成长走势。SIA指出,如果中国的半导体发展继续保持强劲走势,到2024年中国半
导体产业的年营收将达到1160亿美元,占全球市场占有率超果17.4%。相比之下,同年韩
国半导体的全球市场占有率将保持在 20%,这意味着两国在全球市场占有率的差距将在未
来三年内缩小到3个百分点之内。
虽然在过去三年中,中国至少有六个新的芯片制造专案失败收场。但是全球依旧不能小看
中国发展半导体产业的决心,其正在从半导体设备、技术以及生态体系下着手,IDC仍预
期十年之后,中国可以逐步挤进半导体产业技术的领先部队之中。
其实,中国过去已经表明,它的确拥有能力和资源建立一个从萌芽到主导产业的实力。例
如:在2000年代初期,中国在消费性电子产品的锂离子电池方面非常依赖日本。当时日本
拥有高度资本密集型和自动化生产线。不过,中国政府决定大举投资在锂离子电池方面的
研究与制造,终于在电动车逐步爬升之际,占据了全球电池供应的主导行列之中。
中国如今已经公布了几项推动半导体产业发展的举措,除了晶圆代工之外,氮化镓(GaN
)和碳化硅(SiC)成为扩建新的大规模晶圆厂活动的主角。根据SEMI研究,到2023年中
国可望成为全球功率和化合物半导体晶圆厂产能的领导者。
现今半导体都以硅为主,这是因为硅具有在低电压、小电流条件下高效率工作的性质,让
其成为逻辑元件或内存的关键元素,并用于个人电脑、智慧型手机的运算处理之用。
但是未来市场对于高电压、大电流用途的需求将会不断扩大,其包括:纯电动车、手机基
地站、数据中心、可再生能源的蓄电和输配电系统等。它们将使用功率半导体来改变电压
、频率,其中,GaN与SiC非常适合。
目前看起来,采用GaN与SiC的功率半导体还在起飞的初期,未来势必有更大发展潜力。一
旦中国成为主导功率和化合物半导体的领导国,这可强化其长期发展尖端制程的动力,是
不得不注意的发展趋势。
心得/评论: ※必需填写满30字,无意义者板规处分
中国致力发展国内半导体制造能力,随然多个计画失败收场,但希望能透过GaN、SiC等兴
起突破困境。