Re: [新闻] 三星电子公布2及3奈米GAA制程时间表 超车

楼主: SkyPlus (Sky)   2021-10-07 14:56:16
※ 引述《zxcvxx (zxcvxx)》之铭言:
: 原文标题:
: 三星电子公布2及3奈米GAA制程时间表 超车台积电?
: (请勿删减原文标题)
: 原文连结:
: https://bit.ly/3uQlq6P
: (请善用缩网址工具)
: 发布时间:
: 2021年10月7日
: (请以原文网页/报纸之发布时间为准)
: 原文内容:
: 三星电子于2021年10月7日在其第五届年度三星代工论坛(5th Annual Samsung Foundry
: Forum;SFF)上,公布3奈米和2奈米(nm)节点制程计划。
: 三星电子总裁兼代工业务负责人Choi Si-young表示:
: 三星新先进奈米技术将采用GAA电晶体结构,首批基于3奈米芯片计划于2022 年上半年开
: 始生产,而其第二代3nm芯片预计将于2023年生产。
: 至于,2奈米作为三星技术路线图中的新成员,具有多桥沟道 FET(MBCFET)处于早期开
: 发的阶段,预计2025年量产。
回顾一下历史:
#1Wt7GOiE (Stock)
2019/03/15 #1SswWERG (Stock)
三星拟于2021年推新芯片制造技术GAA 提高芯片效能35%、能耗降低50%
首批3奈米行动芯片将于2020年进行测试,2021年量产。
2020/01/03 #1U3oFa5b (Stock)
三星电子宣称开发出3奈米芯片制程
三星电子计划在2022年开始大规模生产3奈米芯片。
一开始放话今年初生产 3nm, 隔年就跳票了。
而且2022 3nm 从大规模变成开始生产,
虽然成真的话算是领先台积半年啦:
#1X28x2Kk [新闻] 台积电3奈米装机 明年下半年量产
そんな装备で大丈夫か? 大丈夫だ、问题ない?
作者: Ayasaki0916 (绫崎家近卫军)   2021-10-07 14:57:00
台积涩涩发抖
作者: fywei (应无所住而生其心)   2021-10-07 14:58:00
兴奋到发抖 XD 弱鸡才会放话
作者: gpee (watch)   2021-10-07 14:58:00
笑到发抖
作者: yapot (做个快乐的吃货)   2021-10-07 15:02:00
太好笑了 一年又一年
作者: a1106abc (HP都陷入内战中)   2021-10-07 15:03:00
就算做出来密度还是比台积5nm差啊
作者: waterfrog302 (WF)   2021-10-07 15:03:00
一级棒依诺塔诺姆!
作者: suichui (宜纳财)   2021-10-07 15:10:00
有点Intel感了
作者: amaranth5566 (Amaranth)   2021-10-07 15:13:00
87像那个G佬
作者: gladopo (glad)   2021-10-07 15:31:00
3星3=gg 5
作者: a9564208 (YOU OUT!!)   2021-10-07 15:37:00
不会漏电发热算我输
作者: chinaeatshit (我爱台湾!中国吃屎!!)   2021-10-07 16:33:00
台积电一直领先 就没办法创新高
作者: wuyihsien (我要活下去!!)   2021-10-07 16:43:00
三星一直都是这样,真做出来也是烂东西
作者: aegis43210 (宇宙)   2021-10-07 16:50:00
密度输一大截,要追上GG至少要等2027了
作者: payneblue (OldManHall)   2021-10-07 17:05:00
三星:先做出来先赢,功耗、效能who care~
作者: saygogo (切泡菜当然爱用瑞士刀)   2021-10-07 17:11:00
三星的3奈米 逻辑密度介于台积电的 6奈米跟5奈米之间 前提是他要生得出来
作者: s800525 (Tim)   2021-10-07 18:26:00
三星5奈米比GG7奈米还惨,现在奈米帐面数字没啥意义
作者: onlydo (onlydo)   2021-10-07 22:11:00
三星只是把FinFET横过来做就说是GAA...别闹
作者: andrewkey (多多绿)   2021-10-07 22:30:00
靠 楼上专业的 我看了三星的图也这样怀疑

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