原文标题：
三星电子公布2及3奈米GAA制程时间表 超车台积电？
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原文连结：
https://bit.ly/3uQlq6P
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发布时间：
2021年10月7日
(请以原文网页/报纸之发布时间为准)
原文内容：
三星电子于2021年10月7日在其第五届年度三星代工论坛（5th Annual Samsung Foundry
Forum；SFF）上，公布3奈米和2奈米（nm）节点制程计划。
三星电子总裁兼代工业务负责人Choi Si-young表示：
三星新先进奈米技术将采用GAA电晶体结构，首批基于3奈米芯片计划于2022 年上半年开
始生产，而其第二代3nm芯片预计将于2023年生产。
至于，2奈米作为三星技术路线图中的新成员，具有多桥沟道 FET（MBCFET）处于早期开
发的阶段，预计2025年量产。
今年论坛的主题是“增加一个维度”(Adding One More Dimension)，预计为期多天的虚
拟线上论坛将吸引超过2,000名全球客户和合作伙伴，三星将分享其愿景及代工业务。
三星表示，其独特的GAA技术多桥通道FET（MBCFETTM）对于持续的制程技术迁移至关重要
。与5奈米制程相比，三星首个采用MBCFET的3奈米GAA节点将面积减少35%，性能提高30%
或功耗降低50%。除了功耗、性能和面积（PPA）的改进之外，随着其工艺成熟度的提高，
3奈米的逻辑良率正在接近与目前量产的4奈米技术相似的水准。
三星代工厂不断改进其FinFET制程技术，以支持具有成本效益和特定应用竞争力的专业产
品。例如，该公司引用了其17奈米FinFET节点。除了FinFET提供的内在优势之外，该制程
节点还利用3D电晶体架构。因此，与28奈米制程相比，三星17奈米FinFET的面积减少了
43%，性能提高了39%或功率效率提高了49%。
此外，三星正在推进其14奈米，以支持3.3V高压或快闪型嵌入式MRAM（eMRAM），从而提
高写入速度和密度，适用于微控制器单元（MCU）、物联网和可穿戴装置等应用。三星的8
奈米射频（RF）平台将有助于在5G半导体市场从低于6GHz扩展到毫米波应用。
结语
三星电子宣布2及3奈米GAA制程量产时间表，似乎与台积电互别苗投，甚至企图超车台积
电。依据台积电规划3奈米仍采用FinFET于2022年下半年量产，而2奈米才会采用GAA架构
，预计2025年量产。虽然，三星决心GAA抢先台积电推出，但良率才是利润关键。根据韩
媒报导 (2021.7.4)，三星电子在华城园区厂最先进的 V1 线，仍存在良率难解问题，5奈
米产品的良率仍低于 50%。
对于半导体大厂而言，制程是技术，良率是决定半导体公司能否获利的关键，初期能将良
率维持在八成左右已是非常困难的事情，而台积电的制程良率可以达到九成五以上，可见
台湾晶圆代工的技术水准。
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三星在代工论坛上公布最新时间表，预计2025年开始量产2奈米芯片，强调其GAA技术，以
突破台积电市场领先地位。