楼主:
zxcvxx (zxcvxx)
2021-10-07 14:36:49原文标题：
三星电子公布2及3奈米GAA制程时间表 超车台积电？
(请勿删减原文标题)
原文连结：
https://bit.ly/3uQlq6P
(请善用缩网址工具)
发布时间：
2021年10月7日
(请以原文网页/报纸之发布时间为准)
原文内容：
三星电子于2021年10月7日在其第五届年度三星代工论坛（5th Annual Samsung Foundry
Forum；SFF）上，公布3奈米和2奈米（nm）节点制程计划。
三星电子总裁兼代工业务负责人Choi Si-young表示：
三星新先进奈米技术将采用GAA电晶体结构，首批基于3奈米芯片计划于2022 年上半年开
始生产，而其第二代3nm芯片预计将于2023年生产。
至于，2奈米作为三星技术路线图中的新成员，具有多桥沟道 FET（MBCFET）处于早期开
发的阶段，预计2025年量产。
今年论坛的主题是“增加一个维度”(Adding One More Dimension)，预计为期多天的虚
拟线上论坛将吸引超过2,000名全球客户和合作伙伴，三星将分享其愿景及代工业务。
三星表示，其独特的GAA技术多桥通道FET（MBCFETTM）对于持续的制程技术迁移至关重要
。与5奈米制程相比，三星首个采用MBCFET的3奈米GAA节点将面积减少35%，性能提高30%
或功耗降低50%。除了功耗、性能和面积（PPA）的改进之外，随着其工艺成熟度的提高，
3奈米的逻辑良率正在接近与目前量产的4奈米技术相似的水准。
三星代工厂不断改进其FinFET制程技术，以支持具有成本效益和特定应用竞争力的专业产
品。例如，该公司引用了其17奈米FinFET节点。除了FinFET提供的内在优势之外，该制程
节点还利用3D电晶体架构。因此，与28奈米制程相比，三星17奈米FinFET的面积减少了
43%，性能提高了39%或功率效率提高了49%。
此外，三星正在推进其14奈米，以支持3.3V高压或快闪型嵌入式MRAM（eMRAM），从而提
高写入速度和密度，适用于微控制器单元（MCU）、物联网和可穿戴装置等应用。三星的8
奈米射频（RF）平台将有助于在5G半导体市场从低于6GHz扩展到毫米波应用。
结语
三星电子宣布2及3奈米GAA制程量产时间表，似乎与台积电互别苗投，甚至企图超车台积
电。依据台积电规划3奈米仍采用FinFET于2022年下半年量产，而2奈米才会采用GAA架构
，预计2025年量产。虽然，三星决心GAA抢先台积电推出，但良率才是利润关键。根据韩
媒报导 (2021.7.4)，三星电子在华城园区厂最先进的 V1 线，仍存在良率难解问题，5奈
米产品的良率仍低于 50%。
对于半导体大厂而言，制程是技术，良率是决定半导体公司能否获利的关键，初期能将良
率维持在八成左右已是非常困难的事情，而台积电的制程良率可以达到九成五以上，可见
台湾晶圆代工的技术水准。
心得/评论： ※必需填写满20字
三星在代工论坛上公布最新时间表，预计2025年开始量产2奈米芯片，强调其GAA技术，以
突破台积电市场领先地位。
作者: ef863756 2021-10-07 14:37:00
丸子
作者: dergnj 2021-10-07 14:37:00
韩国NO1
作者:
iamjojo (...)
2021-10-07 14:38:00三星跟牙膏一直壮胆 笑死
作者: tctv2002 2021-10-07 14:40:00
烧起来
作者:
fywei (应无所住而生其心)
2021-10-07 14:41:00我觉得他们应该直接宣布2A制程量产反正没正在乎没人在乎
作者:
HydraGG (嗨爪)
2021-10-07 14:41:00三星跟牙膏只能靠国家机器了
作者:
b325019 (望月)
2021-10-07 14:42:00先讲先赢
作者: fallinlove15 2021-10-07 14:42:00
40% 和 10% 都是低于 50% 说话的艺术
作者:
fywei (应无所住而生其心)
2021-10-07 14:43:00或是去找英特尔 喷赢的再获得独喷的机会
作者:
sbob (hmm)
2021-10-07 14:44:00想超车的都先翻车了，这么好抄想骗人
作者:
fywei (应无所住而生其心)
2021-10-07 14:44:00获得年度嘴喷王的称号
作者:
hyscout (ほうげんじゅ)
2021-10-07 14:45:00韩国跟美国嘴砲王先去打一架啦
作者:
kline (kline)
2021-10-07 14:45:00做的出来跟良率是两回事
作者:
luche (luche)
2021-10-07 14:46:00来台盖晶圆厂 加点钱召募卖肝ers 说不定有机会超车
作者:
soulout (峰回路转)
2021-10-07 14:46:00弯道翻车
作者:
adagiox (adagio)
2021-10-07 14:47:00那一次没有领先公布== 那一次量率拼过
作者:
hbj1941 (diy arcade)
2021-10-07 14:48:00喊超车都几次了，那一次是真的
作者: tctv2002 2021-10-07 14:48:00
良率虽然输台积 但温度绝对赢台积
作者:
hbj1941 (diy arcade)
2021-10-07 14:49:00机台买没人多，台积asml还驻厂协助修改参数，超三小
作者: gabriel (bogi) 2021-10-07 14:49:00
弯道超车(x) 弯道翻车(o)
作者: ajkofqq 2021-10-07 14:51:00
GG50
作者:
a1106abc (HP都陷入内战中)
2021-10-07 14:52:00作者:
speady (安静学习)
2021-10-07 14:52:00不敢说良率吗？
作者:
speady (安静学习)
2021-10-07 14:53:00想骗我的gg吗
作者:
teremy (乡民代表)
2021-10-07 15:00:00高通表示...
作者:
lxf 2021-10-07 15:04:00三星早就看不到车尾灯
作者:
conilai (小康妮)
2021-10-07 15:05:00跪求教主开示
作者:
cdzzsa (码奇露露)
2021-10-07 15:07:00三星嘴砲厉害而已
作者:
O937 (0937)
2021-10-07 15:07:00免惊，喊声壮胆而已
作者: HRyan (Ryan) 2021-10-07 15:08:00
应该已经超10次以上了！
作者: elmer 2021-10-07 15:09:00
百花争鸣 让市值再上去
作者: HRyan (Ryan) 2021-10-07 15:11:00
上次苹果A9全球公测之后再要吹着些就没什么说服力了
作者:
CLisOM (tt)
2021-10-07 15:11:00三星的EUV机台数比台积电少，就算能顺利量产产能也有差距，台积电用熟练的FinFET和三星用不成熟的GAA哪边出包机率高
作者:
pideo (小佛)
2021-10-07 15:14:00泡菜看不起我们的大GG
作者: woodsaxo 2021-10-07 15:16:00
良率？
作者: VincentZeda (星空下的孩子) 2021-10-07 15:16:00
良率呢？？？？
作者:
jimmyid4 (jimmy)
2021-10-07 15:35:00恩好强
作者:
coolrock (拯救孤单的马尔济斯)
2021-10-07 15:36:00美而美超车麦当劳?
作者:
nextbit (本澄清)
2021-10-07 15:38:00没差,经济部长主动让出机密资料,超越台积指日可待
作者:
kanehhh (我是最弱ㄉㄏ)
2021-10-07 15:49:00迟早看破手脚的
感觉很猛 ptt怎么一片看衰三星 这样我很怕真的超车
作者:
pf775 (pf775)
2021-10-07 16:26:00三星有技术？
作者:
pmes9866 (没见过帅哥喔)
2021-10-07 16:37:00又是弯道超车 超到填海
三星的2nm如果是用IBM的333MTr/mm^2，那还有得一战
作者: wuyihsien (我要活下去！！) 2021-10-07 16:46:00
技术不用偷的还是不行
不过GG的2nm也延到2025了，代表2nmGAA的难度极高
作者:
payneblue (OldManHall)
2021-10-07 17:01:00良率可以看吗？
作者:
howardcb (ä¸è²·æœ€çœ!)
2021-10-07 17:02:00谁来削弱三星的内存啊，血条超满的
作者:
script (幻化)
2021-10-07 18:42:00牙膏跟三爽 真是结拜兄弟呀
作者:
HFET (绅士场效电晶体)
2021-10-07 18:55:00digitimes 那图远低估某家density 真是以讹传讹...