随着AI与IoT崛起，MRAM内存成为未来之星
1.原文连结：
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2.原文内容：
随着容量和性能的提高，近年来MRAM取得长足发展，甚至成为人工智能与机器学习领域记
忆体的最佳替代SRAM的方案。MRAM长期目标是建立通用的非挥发性内存的主流地位，这
也吸引了GlobalFoundries、台积电、三星、英特尔的注意。
产业中的许多大厂多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，但
同时又有非挥发性的优点，MRAM似乎就成为综合了传统内存与快闪存储器的选择。
从市场角度来看，尽管NAND型快闪存储器和DRAM仍将在未来几年保持主导地位，但是MRAM
于未来几年将会呈现显著成长。根据市场研究机构Yole Développement报告，到2024年
STT-MRAM市场可望达到18亿美元规模，其中嵌入式方案占据12亿美元规模，独立型MRAM则
涵盖约6亿美元。整体来说，2018到2024年间的年复合成长率为85%，总产量超过30万片晶
圆。
在嵌入式STT-MRAM（eMRAM）应用上，主要是出现在物联网、微控制器、汽车、边缘运算
和人工智能等领域。至于几种独立的MRAM产品，则是锁定在包括：航太、汽车、储存、工
厂自动化、物联网、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。
STT-MRAM在嵌入式内存应用之中，以取代快闪存储器、EEPROM和SRAM为主，目前投入嵌
入式STT-MRAM的IDM /晶圆代工厂，包含：台积电、三星、GlobalFoundries、英特尔等。
至于提供独立的MARM厂商，有美国的Everspin。
现今，随着晶圆代工厂商GlobalFoundries与Everspin合作将MRAM引入12奈米制程，未来
MRAM的容量密度将逐步提升，成本也将进一步下降。
其实，GlobalFoundries与Everspin的合作是从2012年开始，刚开始Everspin的第一代
STT-MRAM是采用GlobalFoundies的40奈米制程制造，单颗容量为32MB，于2019年升级至第
二代，制程也提升至28奈米，单颗容量提升至128MB。2020年GlobalFoundies的22FDX制程
成功试产了eMRAM，更强化了MRAM的竞争力。
现今MRAM正在支持AI、物联网和高阶网络技术的下一代嵌入式设备。例如：如果采用MRAM
替换SRAM，可以让AI推理引擎具有更多内存，以储存经过训练的模型，让AI系统或机器
学习更具威力。
未来，MRAM只会更积极往高密度、高能效、高耐用且高产量的目标前进，也将引领半导体
产业内针对各种应用程式内存革命带来冲击。
3.心得/评论：
随着AI以及IoT的发展，MRAM内存越来越受重视，大厂像是三星、英特尔接有投入研制
，分析师预测其营收到2024年有机会上看18亿美元。