因应2020年5G服务及CPU需求，三星电子增加半导体投资
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三星电子(Samsung Electronics)于2019年10月31日宣布，与2018年相近，今年的投资额为29兆韩元，投资包含半导体领域的23.3兆韩元、及显示器领域的2.9兆韩元，而今年第四季的大部分资本支出将用于内存芯片领域的基础设施。三星电子在今年前三个季的总投资额为16.8兆韩元，并计画第四季12.2兆韩元。
营收方面，三星的半导体部门今年(2019)第三季的营业利润为3.05兆韩元，是自2016年第二季以来最低，此外，该部门的净利率（operating profit-to-sales ratio）也在三年中该季下降至20%以下。
在今年剩下的两个月，三星电子采取大胆的投资计划，与SK海力士的立场大相迳庭。SK海力士最近公布了13个季的最低收益，并表示随着明年DRAM和NAND flash的产量降低，其投资额可能会减少。
三星电子基于10奈米级的DRAM产品已量产，因而加速半导体投资计画。10奈米DRAM至今年年底将占大约80%，而17（1y）奈米级的DRAM产品将成为2020年上半年的主流产品。三星亦表示将按计划生产17奈米级产品，并利用新EUV极紫外光微影技术设备增加其产量。三星位于西安的中国第二家制造厂计画将于明年(2020)初投入运营，而其在韩国平泽的第二家制造厂也将于2020年开业，这两家工厂可能分别生产NAND Flash和DRAM产品。
由于Apple即将发布5G智慧手机以及5G服务将在美国和日本等地发展，预计明年的全球半导体需求将激增。英特尔也计画在2020年下半年发表Ice Lake服务器CPU，预计CPU将促使云端服务供应商对DRAM和SSD的需求。
三星可能受到台积电大举投资的影响而决定加大投资力道。随着7奈米强效版(7+)需求扩大及未来5奈米新产能需求，TSMC决定扩大今年(2019)资本支出，从110亿美元提高至140亿~150亿美元。至于，新增加的40亿美元当中，15亿美元用于扩增7奈米产能，25亿美元投入5奈米生产线建置，预估明年第二季后新产能就会开出。同时，台积电的加码动作，也将刺激其他公司效仿跟进。
目前，三星电子和台积电是唯二两家使用基于EUV微影设备的7奈米级制程技术的制造厂，而对于想要在2030年主导半导体制造市场的三星电子而言，增加投资额是必不可少的。
三星电子曾于2019年4月24日宣布“半导体愿景2030”，至2030年将投资133兆韩元（1150亿美元）于系统半导体领域(system Semiconductors)的研发（R&D）和生产技术，并雇用15,000名专业人员，其中将投入73兆韩元于RD研发和60兆韩元于先进生产设备(购买EUV设备)。三星的目标不仅在内存半导体领域，也包含非内存芯片（包括系统半导体在内）或芯片系统（SoC）方面，企图在未来抢全球龙头地位。
3.心得/评论：
虽然三星2019年Q3是14季以来最低，但三星看准2020年5G手机及服务市场，增加半导体投资额。但也不排除是受台积电影响。