中国紫光集团未来10年投资8000亿元于3D NAND及DRAM
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中国紫光集团最近宣布，将为未来10年投资8000亿元人民币（逾新台币3.5兆元），以加
速DRAM芯片大规模生产。该公司将在武汉建立一个研发中心，并在重庆生产工厂，计划在
2021年开始批量生产。换句话说，紫光集团平均每年将投入3,500亿元发展DRAM，牵动全
球DRAM市场版图与供给状况。
大基金扮演金主“点火”角色
大陆国家集成电路产业投资基金（简称大基金）于 2014 年 6 月正式设立，拥千亿规模
的投资基金扮演国家级积体电路产业建设和财务投资的双重角色，推动中国芯片技术研发
和生产制造发展。第一期规模近 1400 亿人民币，第二期资金规模更加扩大至2000亿资金
。随着‘大基金’领头羊的带动作用，大陆各地区也陆续成立地方基金，合计规模或将上
看 3000 亿元，协同推进各地积体电路产业的建设与发展。
2015年开始大举投资半导体产业以来，2019年陆续进行投资项目的重新调整，以避免发生
过度重复投资情况。其中，原本计画在内存及晶圆代工双管齐下的紫光集团，已确立会
将资源集中发展内存，包括加快长江存储3D NAND量产时程，并由紫光集团DRAM 事业群
执行长高启全主导DRAM事业发展。
紫光串起中国NAND Flash、DRAM生产链
紫光集团2019年来已将所有资源集中到内存领域，并串起大陆NAND Flash生产链，旗下
长江存储的武汉12吋晶圆厂2019年9月开始量产64层Xtacking技术3D NAND。初期产能规模
并不大，短期对NAND Flash市场影响应有限，且以中国内需市场为主，预期明年(2020)下
半年月产能6万片对市场供给将开始逐步产生影响。至于，在3D NAND后段封测合作伙伴部
份，将以南茂及其与紫光合资的上海青浦紫光宏茂为主，提供NAND Flash晶圆测试、芯片
封测、模组封测等相关代工服务。
目前，不论DRAM或Nand Flash相关制程专利都掌控在三星、SK海力士和美光等三大厂手中
，紫光集团要技术自主需要投入更多的人力和时间。
目前，先进半导体技术在美国管控之下，无法如以往般自由进入中国。即使，美光科技首
席执行长最近访问了中国，但外界一般认为，短期双方很难有合作机会。还有，韩国也不
愿将技术授权给陆厂，最近，三星电子停止了与紫光集团的移动应用处理器业务，宣称中
国公司的智慧手机处理器竞争力不够。但另一个原因是紫光集团正准备生产DRAM芯片以及
NAND闪存内存，致使三星必须审慎考虑与陆厂合作的机会。因此，中国要绕过三大厂的
专利，不是短时间可以达成，至少五到十年才能看到成果。
根据业界人士表示，由于紫光集团是中国政府重点扶植的指标厂商，紫光决定自主研发
DRAM，必定获得大基金和重庆产业基金的大力投资，初期研发中心将设在武汉，待研发有
了成果才会在重庆设厂生产。当然，中国也将面临半导体人才的挑战，向外挖角正是进行
式。
结语
虽然，中国大基金挹注巨资扶植半导体业者，但受到美中贸易战影响要达到自主研发生产
制造，至少需要三到五年的研发时间，即使 2021 年工厂完工甚至进入小批量投片，但要
达到一定的经济规模，仍需要更长的时间。
3.心得/评论：
中国现在更积极地投入快闪和DRAM的制造了。从大环境来看，一方面是中美贸易战的驱使
，另一方面日韩贸易战也算是提供了更好的入场机会。对中国而言，关键之处便在于能不
能自行研发所需技术，达到半导体产业的自主能力。因此，现在也开始传出中国抢半导体
人才的消息了。