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《半导体》联电10奈米制程，最快2016年第三季试产
2014/06/13 14:19 时报资讯
【时报-记者柯婉琇综合外电报导】日经新闻报导，联电 （2303） 执行长颜博文在
造访日本时透露，联电最快将在2016年第三季（7～9月）投入10奈米半导体制程的试产。
联电计画在今年底开始试产14奈米制程芯片，并在2016年上半年进入量产。之后，联电
将把注意力转向10奈米芯片制程的开发。
直到目前为止，联电在缩小芯片制程技术方面的资本支出，仍然落后其他芯片厂。
该公司今年才开始量产28奈米制程芯片。
全球最大晶圆代工厂台积电亦计画在2016年投入10奈米芯片的量产，这意味着联电在
最尖端的10奈米世代，将与台积电正面对决。
颜博文对此表示，不像台积电已经与苹果、高通等IC设计大厂建立稳固的业务关系，
联电采取较为弹性的做法，选择与规模较小的客户合作。
至于日本市场，颜博文表示，联电此行希望能说服日本从设计到制造等所有领域的
芯片厂，将芯片委由联电代工会更具成本竞争力。
3.心得/评论(必需填写)：
吵股指数好像少算了联电，转眼间都来到15元了
今天联电本益比：25.69，台积电本益比：16.23