上游-硅材纯化
进入障碍:高，其技术门槛高、资本投入大，建厂时间需2至4年，未来回收充满不确定性
前景: 寡占市场慢慢消失，主因新提炼法不断开出，来自中韩的new entrants将成为
未来硅价的另一破坏者。
台湾: 极度缺乏发展，但已有许多厂商着手研发，成果未知；目前瑞晶已有小量产出，
后续密切观察。
主流之硅原料纯化方式比较:
1. 西门子法:原理为三氯硅烷裂解+钟型氢气反应炉，冶金级硅(99%)转换成三氯硅甲烷/
硅烷，经过气化，气体于1150度(摄氏)高温吹入高纯度多晶硅棒，气体分
解后将纯多晶硅沉积在金属棒上。
技术成熟且纯度高(9N以上)，但高温高压危险，且耗电量很大，成本也较
高(45-60USD/KG)。
代表厂商: Hemlock、Wacker、REC、Tokuyama
2. 流体床反应炉法(FBR): 治金级硅制成的气态硅烷/三氯硅甲烷在高速下通过含多晶硅
粒的反应炉内，气体便分解为硅与氢，再沉积于硅粒上。
其耗电量较低、沉积率较高且制程效率较佳，最重要的是成本
约25~30USD/KG；然目前的硅纯度尚不理想，约在7N左右，加
上复杂的制程，投入厂商并不多
代表厂商: MEMC、REC、AE Poly、(Wacker)
3. 冶金法(UMG): 又称物理法，冶金级硅定向凝固后浓缩，分离熔解部份杂质后再截断。
优点在于成本低(10~20KG)、建厂前置时间较短；但产品纯度较低，仅
有5N，通常要与较高纯度之多晶硅混合才能使用，且目前技术未成熟，
微量杂质去除难度相当高。
代表厂商: 日本川崎制铁已量产(供货给Sharp)，中美俄等科学研究室
亦在努力研发中。
上游-硅晶圆
进入障碍: 中，技术成熟度与客户群关系仍为新进厂商的重要指南
前景: 受到硅价的直接影响较大，且由于未来硅价不再有高价情况出现，因此晶圆ASP与
毛利也仅能维持住，而不会有爆发性成长。
台湾: 优势厂商仍不多，中美晶、合晶与绿能将暂居产业的领先位置。
制程: 单晶硅-> 利用"柴式长晶法"直拉晶体，过程缓慢而稳定，硅晶成规则排列。
多晶硅-> 利用"直接熔融定向凝固法"直接将多晶硅融化。
完成后的晶棒/块再进行加工，包括切断头尾无用的部分、滚圆使表面平滑、切片
以及化学蚀刻(以避免金属离子等杂质污染硅片表面)。
中游-电池
进入障碍: 低，竞争非常激烈，新加入者可透过turnkey迅速崛起，产品同质性小。
前景: 较上游悲观，技术发展达一瓶颈，金融海啸以来margin下降得非常快。
台湾: 台湾是全球太阳能产业链中游的佼佼者，茂迪、益通与昱晶是最受瞩目的专业电
池厂，但同上所述，未来的成长性很有限，要稳住地位极不易。
制程: p型硅片上透过扩散形成n型半导体层，其余制程包括绒面制程、接面制程、铝背面
制作、正背面金属接触与减反射层沉积；其内容碍于专业之物化知识，不再详述。
结晶硅电池与薄膜的简易比较:
制程 设备 外观 技术 发电情况
结晶硅 详细分工 成本较低 厚、重 较成熟、