陆自制 EUV 预定第3季试产
经济日报 编译陈苓／综合外电
https://money.udn.com/money/story/5599/8601538
消息人士透露，中国大陆研发出自家的极紫外光（EUV）微影设备，采用与荷兰半导体设
备制造巨擘艾司摩尔（ASML）不同的技术，设计更简单、更有效率，预定今年第3季试产
，明年量产。倘若消息为真，意味中国在突破美国科技管制上，迈出大步。
科技媒体wccftech报导，据@zephyr_z9和@Ma_WuKong在X平台的发文，华为正在广东东莞
工厂测试新设备，这款客制化EUV机台，采用“雷射诱导放电电浆”（LDP） 技术，预计
今年第3季试产，并可能在明年实际放量生产。
陆制机台采用的LPD技术，能生成波长为13.5奈米的EUV光，作法是将电极间的锡汽化，再
透过高压放电将其转成电浆，并用电子离子的碰撞，产生所需波长。这种作法与ASML不同
，ASML使用“雷射产生电浆”（LPP）技术，仰赖高能量雷射与复杂的可编程闸阵列控制
。据试产报告，陆制原型机的设计更小更简单，用电量较少、制造成本也较低。
ASML受限于美国禁令，无法出售最先进的EUV给陆厂，中芯只能仰赖深紫外光（DUV）设备
，DUV波长达193~248奈米，远远不及EUV的13.5奈米。中芯要制造先进制程芯片，得要重
复曝光，这不只提高了晶圆生产成本，也相当费时。外界估计中芯的5奈米芯片，生产成
本比台积电（2330）的5奈米贵了50%。
受此影响，华为的麒麟处理器仍停留在7奈米。如果中国真能打造出EUV机台，华为将可缩
小与苹果、高通等的差距。
ASML是全球唯一的EUV生产商，每部机台有超过10万个零件。目前还无法确认爆料者说法
的真实性，而EUV开发不易，陆厂的进展也可能会有更多阻碍。