※ 引述《frank40901 (就是不想被认出)》之铭言：
: ※ 引述《jw0311 (冷心冽情)》之铭言：
: : 小弟非常好奇的一点是
: : 前阵子台积电好像有宣示要开始研发进入7nm先进制程
: : 那为啥这篇新闻认为行动装置芯片这块intel仍然领先呢
: : 还有，intel行动装置处理器好像采用的厂商比较有名的只有华硕的zenfone
: : 其他厂商就很少人用了
: : intel芯片是跟android调教的不好还是怎样？
: : 有没有这方面的八卦？
: 小弟也好奇一点
: 前阵子有人说在物理特性上10nm就是极限了
因为电子物质波的波长大约是0.4nm，
当gate length缩到一定的程度，电子物质波波长很容易跨越整个s/d造成元件关不掉，
漏电流相当大，目前为止元件物理的建构都是用固态物理为基础，
考虑的都是大量的原子、电子行为，但是当到10nm以下，
固态物理的极限也已经快到一个极限，要换另一个架构来思考，
要考虑的doping原子、defect个数，一个元件都已经是用几个几个在算，
粒子的集体行为，跟粒子的单体行为，完全天差地远。
silicon从以前就已经被喊要GG，但是一只没有被换掉，
因为现在行动通讯的市场大，大家注重的是元件的功耗，
所以当你的元件可以再用约低电压操作在on state下越好，
但是目前元件物理的S.S. 就是由Femi-dirac近似boltzmann distribution去做
载子浓度的计算，进一步积分求得ID公式，然后S.S最小就是被限制在60mV/dec，
10nm以下要考虑的并不是材料的问题，而是整个元件结构的问题，
tunnel-fet的S.S可以突破这个限制，可是因为基础物理规范的原因，
on current上升的幅度并没有因为微缩而大幅上升，他也许是一个机会，
目前所有的材料像Ge GaAs InGaAs 一狗票三五，漏电流都没办法做得像silicon那么小，
他们没像silicon有一个天险SiO2那样，而且quality好的SiO2又很好长，
这几年才是逻辑IC的生存关键，但是大部分大家应该还是会看intel怎么走，
然后跟着走，毕竟这个押错宝，看看曾经90年代因为铜制程垮下的U。
: 7nm是材料上有改良吗还是怎么一回事
: 另外想再问
: 看那么多回文 台GG 在1x 制程的良率大概在几%阿 有挂吗