第一题是108普考电子学概要第四题
https://i.imgur.com/ePw9cix.jpg
我的疑问点：
因为这题FET的长宽比和RD都不匹配
所以无法使用半电路求解
在中间也不接地，而且又要考虑小ro的情况要如何处理？
第二题是109年普考的电子学概要第三题
https://i.imgur.com/aLI9o93.jpg
我的疑问点：
求VB1的部分没有问题就是单纯的带公式。
而VB2比较难处理。
VB2的做法我是先不考虑最右侧的电晶体，
设计完widlar的偏压点后，再放回去求解，这样跟市面上的解答书答案值相近，只是想要
请问版上的高手们有没有更好的方法？