主要是想做个纪录，也顺便想给一些想考电子丙或甚至外来要走固态组的人一些建议
参考价值不见得高@[email protected]请小力鞭
一、背景
公馆大学材料系、应届生。系排26/59。GPA 3.6
上大四真正考虑出国或者面对研究所申请时才发现以前觉得成绩不重要、学到什么理解了
什么会什么才重要的自己很傻很天真。
本身很喜欢数学跟物理，讨厌背科、学习有严重的偏食现象。
二、成绩
只有台大电子丙 -正取-
电子学(E) 51.00
近代物理(含半导体物理) 74.00
英文(A) 56.00(加权后14.00)
口试 96.50
->正取3(已放弃)
三、准备状况
叙述可能会有点乱、主要还是照着时序、一方面也是按照心境心路历程之类的。
A. 电子学
真正决定投入半导体物理是在大三上修完系上必修的简易版半导体物理后
大三升大四的暑假，
主要的转变是一方面真的很不喜欢学习跟记忆很多性质(本科系的内容)、
二方面学习半导体物理时的快乐可以说是大学时最幸福的时光之一，
其余就是学普通化学(其实是简易版的量化)、微积分、
自学刘明昌那本工数的时光，
所以在4月就花了一千多块买了林昀整套的微电子学，但电类知识几乎是0，
所以即便有些人说林昀讲得很囉唆我还是看不懂@@
对人生目标也还是迷惘啦多多少少。
好不容易到每年最期待的长假、
我便花了一个礼拜把Irwin电路学从第一章读到傅立叶转换前。
然后接着花了三个礼拜把Smith电子学中文书自学到差动放大器那里(第七章完)，
过程中每个章节都会把做笔记(用电脑打，word+小画家修图修得很开心)。
这样就渡过了7月中到8月中了吧大概，每天的作息就是早起健身房、
回来吃优格练后餐、
然后开始读书读到中午，
吃个饭陪家人看个剧就继续读到傍晚。
Smith的题目也没写太多，写的时候也是详解放一旁随时救援，
虽然看到版上很多人会几刷题目觉得很可怕@@
但可能不够聪明看到很多例题都不会写XDDD尤其设计题，
所以只好透过理解详解的思路来去建立解题架构。
然后随着快开学了，事情开始变多、不能每天宅在家看书，
所以真正读完第八章差动与多级放大器已经九月中开学了。
而在那之后电子学就没在碰过了、重心转回到半导体物理上，
直到考前才花几天大概读读笔记、
也不是说不想复习而是不太知道怎么准备(遮脸)、
比起太多EE本行出身或考比我高的学长姊，
我学电子学的方法实在不值的参考。
喔还有一件事，范围要看清楚@@
我直到放榜才发现电子所推甄网站上有公布命题范围，
当时靠着想像力觉得固态用不到所以不会考那么多电子学就读到第九章开头而已，
其实内存、逻辑闸电路也有稍稍涵盖，
想起今年看到考卷上出现叫我画内存电路时我直接傻眼(上个月有补起来就是了)
学习过程我觉得一如很多PTT上的人说的，
Smith写到后面有些内容有点不知所云，偶尔也会跳步骤或偷用些概念
(例如我当时有花一个下午想懂他短路转导的概念跟公式是怎么拍脑袋拍出来的)
B. 近代物理(含半物)
近代物理的自学我当时是买了程隽的近代物理学来看，
系上开的近代物理也不是很在意数学@@(主要是性质理解的感觉)，
而时间点大概是在大三上(前年9~12月)。
这科也是当时自学完就放置没碰过了，所以今年考试时前几题我有些实在忘记推导所以写
一半而已=/
想说的主要是半导体物理吧。
完全出自于兴趣，我在修完系上开设的“简易版”半导体元件物理后，
我曾花了2~3个月大概把通勤时间用都去读Neamen, Streetman固态电子学原文书。
把有趣的图、学习到的观点整合到以前打的半导体物理笔记中。
后来大四上(9~12月)修了电子所的“金氧半电容元件”，
主要内容就是介绍MOS与一些MOSFET，
也是出自于热爱所以有把修课笔记整合到上面提到的半导体元件物理电子笔记中。
该门课真心大推，更多的内容可以参考在NTU_Course版上之前打的
“109-1 胡振国 金氧半电容元件”
考研前的寒假前期则还在读一些奈米电子学的内容、
考前则是有再复习一次一些公式@@
C. 英文
还是感谢飞哥英文当年为我打的基础，
让我考完指考后没什么碰英文还是勉强看得懂题目(?)
我还是觉得英文难度很迷，
单字题很多单字没看过，
后面克漏字跟阅读测验却有很高中英文的感觉。
但也其实好像考到几分达标就行了(?)
D. 杂谈
或许有人看到这里觉得有点不知其所以然，我也不太知道我在说什么(?)
主要来说，我自学的主要流程如下：
1. 逐字逐句阅读并理解课文，看不太懂多少会纠结，但是可能就跳过或查资料
2. 读的过程会以不同颜色标出章节大纲或者标注重点、写下重点，
读完一个单元最晚一章后会做简单重点整理，方法可以参考“费曼学习法”
3. 多去跟朋友轰炸说自己学了什么好有趣(???)
把这些内容以一些很简单的概念或故事讲给别人听，
很多概念是可以相互套用而且很直观的。
前者例如MOSFET跟BJT很像可以一起用、后者如DIBL可以用薄厚木板挡水来想，
虽然人家不见得有兴趣想知道XDDD
其实到现在电子学我到现在都还是笨笨的，
要分析电路时把元件都用小信号模型换掉然后当电路学算，
当然一些像“源极转换规则”也会用，
但是公式要知道它的来源、例如他就是简单的欧姆定律V=IR转换而已。
至于物理的部分，纯粹近代物理我自己感觉(可能是错的)做传统的FET
(MOSFET, JFLET, FinFET, GAA)
可能都不会那么吃重，
但是我自己觉得以固态组学生来说这元件物理本身应该挺重要的。
但是薛丁格方程的位能井等等我觉得比较是常识应该要知道和会算，
主要讨论自旋的部分对磁性材料与自旋电子学重要。
对于想考试的人，可以参考胡正明院士的著作
Modern Semiconductor Device for integrated Circuits
这书在胡教授的个人网站有Free download；
至于Neamen跟Streetman个人推前者，
前者主要专注在MOSFET与BJT，
后者有很多FET也有提到不少制程，个人满不习惯这样的安排的。
我还是觉得半导体物理机制都很简单，
每个现象往往都是小故事导引出来的，一定要抓住核心观念。
一些重要的公式要很熟、习题可以多写。
四、心得
其实10月时我也有推甄电子所，不过因为成绩等等因素没有上=/
后来虽然不用担心没学校念了，但是内心还是耿耿于怀想投奔电子所怀抱，
所以又缴钱去考试。
过程因为也是挺消极沮丧的，考完之后也没抱太大希望。
直到放榜听到一些消息才死灰复燃，想去电子所好好做半导体
(模拟>=研究=制程>>模组，多少想做FET)
结果后来还是遇到一些进退两难的阻碍不得不含泪放弃电子所资格
(台大一学年只能报到一个系所，要报到B必须放弃A)
坦白说现在还是想到就很难过(超难过)也时常后悔或迷惘。
或许电子所的梦只能等博班再说吧，一切就当作大学毕业前做过这个美梦，
也觉得愧歉一些电子所认识的老师，再说就离题了。