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中国首台EUV曝光机原型机正式出光 斥资400亿美元建构自主半导体链路
据《路透》与相关调查指出，位于深圳一座由中央科技委员会管理的保密设施内，首台全国
产化的极紫外光曝光机 (EUV) 原型机已成功启动，并稳定产生 13.5 奈米波长的极紫外光
。报导称，此进展意味着中国已在 EUV 技术链路上，从光源、光学系统到真空腔体实现初
步贯通。
相较于全球龙头艾司摩尔 (ASML) 采用的 LPP(雷射激发电浆) 技术——即利用高功率雷射
轰击锡滴，中国研发团队选择了 LDP(雷射诱导放电电浆)10 倍以上，具备系统体积更小、
功耗更低等优势，有利于未来的规模化部署。
陆媒硅基 LIFE 报导称，这项被外界称为“北京曼哈顿计画”的发展，背后有着庞大的资源
支撑。
投资规模：由国家科技部牵头，整合华为、哈工大、上海光机所、清华大学及中科院等机构
，总投入金额估算达 370 亿欧元 (约 400 亿美元)。
专利技术：截至 2026 年 6 月，中国在 EUV 领域的专利申请量已累计超过 1200 件。
生产布署：华为东莞基地预计于 2026 年第三季启动 EUV 试验性生产。
据报导，目前全球 7 奈米以下先进制程芯片均需依赖 EUV 技术，而 ASML 单台 EUV 设备
售价约 1.5 亿美元。根据数据显示，2026 年全球 EUV 相关市场规模约为 259.3 亿美元，
目前台积电掌握全球约 56% 的 EUV 装机量。
尽管中国已跨越光源门槛，但后续仍面临极其严苛的挑战，包括反射率要求极高的钼 / 硅
布拉格反射镜、光阻剂灵敏度，以及光罩检测等工程瓶颈。
然而，在 EUV 量产前，中国已透过浸润式深紫外光曝光机 (DUV) 配合自对准四重图形技术
(SAQP)5 奈米级芯片的规模化量产，为先进制程提供了备援路径。
报导称，若 LDP 技术路径最终证明能提供更高的功耗效率，将可能对现有以 ASML 为首的
供应链范式产生冲击，并改变先进制程设备的市场稀缺红利。
心得：
来自路透报导
这算是重大突破吗？
每年这样烧钱，也是大手笔
是框钱，还是真的想做大事
其实还没很定论
两年后看能不能量产
或许就比较明确了？