台积电以“试错法”前进1.4奈米 外媒曝不采用最新型曝光机原因
2025/10/14 17:52
台积电将在本土开始1.4奈米晶圆生产的第一步，但似乎不会依赖ASML尖端且价格高昂的
高数值孔径EUV曝光机，原因可能是这些设备价格高昂。（彭博）台积电将在本土开始1.4
奈米晶圆生产的第一步，但似乎不会依赖ASML尖端且价格高昂的高数值孔径EUV曝光机，
原因可能是这些设备价格高昂。（彭博）
〔财经频道／综合报导〕台积电将于2025年底开始生产2奈米晶圆消息大底已确定，而根
据最新报导，台积电也将在本土开始1.4奈米晶圆生产的第一步，但似乎不会依赖ASML尖
端且价格高昂的高数值孔径High-NA EUV曝光机，原因可能是这些设备价格高昂。该公司
将采用复杂的多重曝光技术，而这种替代方案的缺点是耗时耗力，成本高昂，而且初期良
率难以保证，迫使台积电不得不采取“试错”（trial and error）的方式，逐步改进其1
.4奈米制程
台积电将于今年年底在台中破土动工建设1.4奈米制造厂，但预计要到2028年下半年才能
实现量产。该公司的A14制程可将功耗降低高达30%。
1.4奈米制程的研发将在台积电位于新竹的工厂进行，其台中工厂的招募工作也已启动。
三栋建筑的施工许可证已于8月发放。为实现这项计划，台积电的初始投资可能高达1.5兆
新台币，其中很大一部分可能用于在2027年购买30台EUV曝光机。
专家Dan Nystedt在X的最新贴文中表示，台积电不会购买ASML的任何高数值孔径EUV设备
，原因可能是这些设备价格高昂。每台设备售价4亿美元，对台积电来说，这是一项耗资
巨大的工程。台积电先前曾表示，其现有硬件能够量产1.4奈米晶圆。
根据wccftech报导，台积电可能会采用复杂的多重曝光技术，类似于中芯国际在开发其5
奈米制程时所采用的技术。这种替代方案的缺点是耗时耗力，成本高昂，而且初期良率难
以保证，迫使台积电不得不采取“试错法”的方式，逐步改进其1.4奈米制程。
然而，台积电与中芯国际最大的区别在于，台积电已经拥有专门的EUV设备来实现这一点
，而且由于距离量产还有几年的时间，因此它有充足的时间来完善这一尖端制程。
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