陆传EUV光刻技术获重大突破　前ASML科学家林楠主导
https://www.ettoday.net/news/20250501/2952975.htm
林楠团队的研究成果发表于《中国激光》期刊杂志第6期（2025年3月下），该团队研究人
员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，团队正计划增加进一步的研究，
未来有望进一步实现国产EUV光刻技术。
公开资讯显示，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，其中，二
氧化碳激光器激发的Sn等离子体 CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，这类光源技术由
美国Cymer制造，属于全球垄断地位。
在光刻机关键技术“卡脖子”的情况下，林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳
激光作为驱动光源，但能量效率仍需进一步提升。现阶段研究成果显示，林楠团队1um固
体激光的CE最高可达3.42%，超过荷兰和瑞士研究团队的水平，虽仍未超过4%，但已达到
商用光源5.5%转化效率的一半。
至于该研究团队的领衔人物林楠拥有众多身份，他是大陆中科院上海光机所研究员、博导
，大陆国家海外高层次人才，超强激光科学与技术全国重点实验室副主任，精密光学工程
部技术总师，中国仪器仪表学会集成电路分会委员，中国光学工程学会微纳专委会委员，
曾任荷兰ASML公司研发科学家、研发部光源技术负责人。
林楠主攻机体电路制造光刻光源以及芯片量检测光源研发与工程应用研究，师从2023诺贝
尔物理学奖得主“Anne l'Huillier”。
截止目前为止，林楠申请及授权美、日、韩等国国际专利110余项，多项专利已完成产品
转化搭载在最新型光刻机及量检测设备中。