铠侠：抢先 2027 年生产千层 NAND Flash，业界质疑
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全球 NAND Flash 快闪存储器制造商竞赛白热化，抢著先推出千层堆叠 NAND Flash。理
论上，获胜者有机会先推出超高容量 SSD 固态硬盘，因 SSD 远超过 HDD 机械式硬盘最
大容量 8TB，掀起换机潮。尚不清楚 NAND Flash 商何时达成目标，日本内存商铠侠
(Kioxia) 先跳出来宣示，2027 年会做好产品上市准备。
东芝拆分出来的铠侠 1987 年发明 NAND Flash，日媒报导，最近内存产业活动公开计
画，2027 年做好千层 NAND Flash 上市的准备。若达成单一 NAND Flash 颗粒储存容量
会是最大容量三倍多。但是否这么快就能做到，市场有点怀疑。
外媒 Hot Hardware 报导，内存龙头三星旗舰 SSD 990 Pro 仅 176 层堆叠，SK 海力
士最近有提升堆叠数计画，2023 年展示过首款超过 300 层堆叠 NAND Flash 的 SSD，但
要量产还需几年。SK 海力士最近刚将最大堆叠层数从 176 层升至 238 层，可能最快
2025 年达 321 层，量产千层 NAND Flash 前还需再发展几代。
为了达千层堆叠，铠侠可能改用密度更大 NAND Flash，每颗粒有更多储存单元。最常用
NAND Flash 类型是 TLC 架构，更高阶 QLC 架构持续发展。TLC 与 QLC 最大差别在每
单元储存位元，位元越多，位元彼此距离越接近，制程就更困难，大容量 SSD 会看到更
多 QLC 产品，甚至发展中 PLC 产品。实际发展方向还需观察一段时间。