三星电子 HBM 芯片据悉未能通过 Nvidia 测试 因有发热和功耗问题
2024/05/24 07:38:45
经济日报 编译季晶晶／综合外电
三星电子最新的高频宽内存（HBM）芯片因发热和功耗问题，尚未能通过辉达（Nvidia
）的测试。
路透报导，根据三位知情人士，这些问题影响到三星的HBM3芯片（这是目前AI绘图处理器
（GPU）中使用最多的第四代HBM标准），以及这家韩国科技巨擘及其竞争对手今年推向市
场的第五代HBM3E芯片。
三星提供声明给路透说，HBM是一种客制化内存产品，需“根据客户需求进行优化”，
并补充说，三星正透过与客户的密切合作来优化产品。该公司拒绝就特定客户置评。
Nvidia谢绝评论。
Nvidia在全球AI应用GPU的市占率大约是80%，满足Nvidia的需求被视为HBM制造商未来成
长的关键，声誉或利润皆然。
三位消息人士透露，三星去年开始一直努力想通过Nvidia对HBM3和HBM3E的测试。其中两
位透露，最近一次对三星8层和12层HBM3E芯片测试的失败结果是在4月出炉。
这些问题是否易于解决，目前还不明朗。但三位消息人士说，未能达到Nvidia的要求标准
，增加了业界和投资人的担忧，三星可能在HBM方面进一步落后竞争对手SK海力士和美光
科技。
https://reurl.cc/0vKAX9