据外媒报导消息，Intel执行长Pat Gelsinger受访时表示，自家的18A制程（1.8nm）领先台积电N2，其两年内没有对手。
报导指称，Intel的未来取决于重新获得半导体制造领域的技术领先地位，Pat Gelsinger相信将会在两年内实现。于Pat Gelsinger来看，对20A、18A制程充满信心，主要是因为采用了RibbonFET架构，即GAA闸极全环电晶体与PowerVia背部供电技术。
此些技术对于制造2nm制程芯片的公司而言至关重要，可以于降低功率泄露之同时实现更高的逻辑密度及时脉速度。
与此同时，台积电的N3P制程与其它即将推出的3nm制程将继续使用成熟的FinFET架构，直至Intel一年后的N2制程转向GAA。
但是，台积电并不认同，总裁魏哲家之前表示，根据内部评估，台积电3nm N3P制程于效能方面即可比拟Intel 18A制程，且更早推出、更成熟、更省成本。魏哲家亦强调，台积电的2nm制程较Intel 18A更加先进，2025年推出的时候将成为最先进的制程技术。
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