三星损失达 560 亿！前主管疑泄芯片机密给长鑫存储，技术差距缩短
https://technews.tw/2023/12/19/samsung-cxmt-dram/
外媒 Tom’s Hardware 报导，今年稍早两名从中国返韩的三星前员工已遭到逮捕，因涉
嫌泄露三星 16 奈米 DRAM 技术机密给中国长鑫存储。
综合外媒报导，两名三星前员工几年前赴中国长鑫存储工作，将三星 16 奈米 DRAM 技术
智慧财产权的相关内容全透露给中国公司，因而赚取数百万美元。
韩国国家情报局（NIS）今年 5 月开始展开调查，以违反韩国《防止和保护工业技术泄漏
法》的罪名要求逮捕。由于获得可进行诉讼的证据，韩国方面申请逮捕令，并拘留金姓男
子和方姓男子。
三星前电子部长金姓男子 2016 年跳槽去中国长鑫存储，年薪高达数百万美元。据报导，
金姓男子泄露与半导体沉积技术相关的经验和技术，甚至涉嫌泄露其他 7 个核心技术资
料，以此收取数百亿韩圜的财物。另一位被拘捕的方姓男子则是前三星分包商。
检察官表示，三星 16 奈米 DRAM 技术泄密至少损失约 2.3 兆韩圜（约新台币 560 亿元
），长鑫存储与三星的技术距离也拉近不少。
韩国国家情报院和检察官初步调查是以半导体沉积技术为中心，但准备进一步调查，确认
另外 7 种核心制程技术是否真遭泄露。
三星目前控制约 40% DRAM 市场，重大技术泄密事件恐成为该公司维持内存业霸主地位
的主要隐忧。根据韩国国家情报局报告，过去五年芯片技术泄密事件增加 4 倍。
长鑫存储也发声明称，公司“尊重智慧财产权，并有健全的机制防止员工泄露第三方资讯
”，并拒绝就三星内存智财权发表评论。