韩国媒体：长江存储NAND快闪存储器技术 只差韩国2年
大陆对内存产业的支持力度加大，过去几年取得了长足进步，韩国“韩国商业”（
Business Korea）报导，在NAND 快闪存储器领域，大陆企业的长江存储，与韩企的差距
已缩短至2年，双方差距正在快速地消失中。
报导指出，大陆在DRAM 技术方面与三星、SK 海力士等领先企业仍存在5年以上的差距。
报导分析，其中主要原因在于NAND快闪存储器技术的壁垒相对低一些，使得大陆追赶速度
不断加快，因此差距缩小得更为明显。
其中，大陆最大的内存半导体企业长江存储，在2022年快闪存储器峰会（FMS）上，发
布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第4代3D TLC快闪存储器芯片，名为X3-9070。
长江存储也领先于三星和SK海力士，实现了更高层数的NAND快闪存储器芯片的量产，回击
了外界质疑的声音。
去年一年里，大陆存储芯片业者来自大陆政府与官方主导投资基金投入近人民币500亿（
新台币2145亿元），持续且大量的资金投入支援确实能取得效果，一方面是技术的追赶，
另一方面是更快的市场渗透。
随着半导体电路小型化逼近极限，大陆可能会抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进
封装技术。这种高性能、多芯片的封装被视为突破半导体小型化限制的关键。
目前大陆是全球第二大封装技术市场，有着较为完善的生态系统，长电科技、通富微电和
华天科技都进入了全球10大半导体封装企业的前10名，而韩国没有一间公司出现在榜单上
。
前不久长江存储在美国加州法院，控告美光科技及全资子公司美光消费产品公司侵犯其专
利。长江存储表示，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得
和保护市占。
报导指出，这等于是直接展示了大陆厂商在NAND快闪存储器上突飞猛进的进步成果。
https://udn.com/news/story/7333/7595419
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