全球先进制程竞赛脚步未歇，供应链消息指出，晶圆代工龙头台积电下一世代的 2 奈米
布局持续进行中，新竹宝山厂规划于 2024 年第二季展开进机，2025 年第四季进入量产
，初期月产能约达 3 万片；而高雄厂也正在着手进行组织编制，预计在 N2 登场隔一年
后量产 N2P（2 奈米加强版）制程，并采用背面供电技术。
根据台积电先前法说会上透露，公司在N2发展出背面电轨（backside power rail）解决
方案，此一设计最适于HPC相关应用。在基线技术之上，背面电轨将使速度提升10%至12%
，逻辑密度提升10%至15%。目标是在2025年下半年向客户推出背面电轨，并于2026年量产
，与供应链传言不谋而合。
过去，英特尔（Intel）率先从平面结构电晶体转向FinFET（鳍式场效电晶体），随着制
程技术逐步迈向GAAFET架构的MBCFET、BSPDN（背面供电），包括台积电、三星、英特尔
都在积极竞争GAA新世代的领导者位置，更提出相当正向且积极的技术发展蓝图。
根据三星半导体规划，2025年将大规模量产2奈米，1.4奈米则预定2027年量产；Intel采
用Gate All Around（GAA）技术RibbonFET电晶体架构的20A预计2024年上半年进入预备量
产，而18A则会在2025年量产。法人表示，台积电的技术层次、稳定量产能力、良率均技
高一筹，加上辉达等大厂力挺，料将稳固其霸主地位不变。
https://technews.tw/2023/10/12/tsmc-kaohsiung-factory-n2p/