新闻标题: 量产3奈米后 台积电N3E制程有望再传捷报
如先前预期，台积电3奈米预计在9月开始量产，改良型N3E制程也传出好消息，一张疑似
是台积电内部投影片的照片在推特上流传，上面写道，N3E制程研发顺利，进度超前，经
过测试后的产品良率表现达到80%。
外媒Tom’s hardware引述推特上一名自称半导体技术爱好者流出的疑似台积电内部投影
片进行报导，投影片显示N3E制程256Mb SRAM平均良率达80%，Mobile和HPC芯片的良率也
有80%，另外，经过良率验证的环式震荡器性能优于92%。
报导提到，市场上对于N3E制程研发顺利并不惊讶，台积电拥有专门的团队进行技术改良
，并期待能生产出更高效率、低功耗的芯片。
事实上，台积电总裁魏哲家曾在7月的法说会上表示，N3E制程是3奈米世代制程的延伸，
有更好的效能、功耗和良率，预计明年下半年进入量产，未来3奈米家族将是台积电另一
个大规模且有长期需求的技术节点。
此外，魏哲家也透露，台积电3奈米量产后，预计明年上半年贡献营收，2奈米制程则预计
在2024年开始试产，隔年进入量产，届时在密度和能源效率上都会是业界最先进的技术，
进一步扩展台积电的技术领先地位。
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