Digitimes
江承谕/综合报导 2022-08-03
SK海力士(SK Hynix)稍早发表238层NAND Flash，继美光(Micron)发表232层NAND后，在NA
ND Flash层数技术竞争中再度取得优势，同时也将拉大与长江存储等竞争业者的差距。
综合SK海力士及韩媒Digital Times、Ddaily、韩国经济等消息，SK海力士稍早于2022年
全球快闪存储器峰会(Flash Memory Summit；FMS 2022)中，公开238层512Gb TLC 3D NAN
D Flash样品，预计于2023年上半投入量产。
据悉，本次SK海力士研发的238层NAND不仅层数提高，也是目前业界最小尺寸。生产效率
相较前一代的176层NAND提高34%，资料传输速度提高50%，达到每秒2.4Gb。此外SK海力士
指出，新一代NAND Flash芯片读取资料时能源消耗量减少21%，在ESG方面也取得成果。
SK海力士自96层NAND开始采用电荷储存式快闪存储器(CTF)结构、Peri Under Cell(PUC)
技术，虽然本质上仍属3D NAND，但SK海力士以4D NAND作为宣传。4D相较3D具备单元面积
减少，生产效率提高等优点。
SK海力士计划首先供应使用于客户端固态硬盘(cSSD)的238层NAND，之后扩大到智慧型手
机用和服务器用高容量SSD等，并于2023年进一步推出1Tb产品，比既有512Gb容量提高2倍
。
SK海力士表示，自2020年12月研发176层NAND以来，时隔1年7个月成功开发出新一代技术
。特别是此次238层NAND既是最高层数，也是全球最小尺寸，极具意义。