美光宣布 全球首款232层NAND型内存正式出货
2022-07-27 11:08 联合报／ 记者简永祥／台北即时报导
美商内存大厂美光今宣布全球首款232层储存型快闪存储器（NAND Flash） 已正式量产
，该产品采用业界顶尖的创新技术，将为储存解决方案带来前所未有的效能。它具备业界
最高的单位储存密度（areal density），并提供与前几代 NAND 相比更高的容量和更佳
的能源效率，能提供从终端使用者到云端之间大部分数据密集型应用最佳支援。
美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示，美光的232层NAND芯片，为储存装置创
新的分水岭，首次证明了美光具有将3D NAND扩展到200层以上的制造能力。这项开创性的
技术涵盖诸多层面的创新，包括建立高深宽比结构的先进制程能力、新型材料的开发，以
及针对美光独步业界的176 层NAND技术所进行的设计改进。
他进一步表示，随着全球数据量持续攀升，储存容量和性能的提升势在必行，同时，美光
的客户也必须减少能源消耗以满足更严格的环境永续发展要求。
他强调，美光的232层NAND技术不仅具备必要的高性能储存，可以支援资料中心和汽车应
用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供行动装置、消费性电子产品和个人电脑所需
的回应速度及沉浸式体验。此技术节点达到了现今业界最快的 NAND I/O 速度：2.4 GB/s
，将满足以数据为中心的工作负载（如人工智能、机器学习、非结构化数据库和实时分析
、云端运算等）的低延迟和高吞吐量需求。
和前一代产品相比， 比美光176层制程节点所提供最高速的接口数据传输速度快50%、 每
颗晶粒写入频宽提高100%，读取频宽亦增加超过 75%，这些优势将进一步强化 SSD 和嵌
入式 NAND 解决方案的性能和能源效率。
此外，美光232层 NAND引进全球首款六平面（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC
快闪存储器3中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。 杰出的
I/O 速度和读写延迟表现，结合美光的六平面架构的结合，将实现许多配置的最佳资料
传输能力。此架构可以减少读写命令之间的冲突，进而改善系统级服务品质。
232 层 NAND 的发布是美光在研究、开发和制程技术提升方面皆处于领导地位的成果，它
的突破性功能将助我们的客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的行动装置和整个
智慧边缘领域提供更多创新解决方案。
美光的232层 NAND 目前正在新加坡晶圆厂量产，会优先以封装颗粒形式及透过美光
Crucial SSD 消费性产品系列向客户出货，并于日后发布更多产品和供货资讯。
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