三星宣称 3奈米GAA制程研发进度领先台积电
https://udn.com/news/story/6809/5701303
韩国媒体Business Korea报导，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung
周三（25日）在一场网络技术论坛中表示，三星能够抢在主要竞争者台积电（2330）之前
，宣布GAA（闸极全环）技术商业化。GAA技术是次世代芯片先进制程的核心。
三星在线上举辧三星技术与职涯论坛，Jeong Eun-seung发表专题演讲。他说：“我们开
发中的GAA技术，领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术，我们的晶圆代工事业将可
更加成长。”该论坛是三星装置解决方案事业部门为吸引全球工程人才所设。
Business Korea指出，GAA是3奈米制程的关键，全球大型晶圆厂不久的将来将会采用这项
技术。GAA技术的优点在于改变电晶体架构，将之由鳍式场效电晶体（FinFET）的3D转为
GAA的4D。三星2019年与客户测试其所设计的3奈米制程，结果显示，GAA技术缩减芯片面
积程度达到45%，功率效率增加50%。
不过半导体业分析师强调，谁可以率先将GAA技术商业化，还需要再观察，主要因为以
2011年到2020年全球申请GAA相关专利的案件数来看，台积电占比31.4%，比三星的20.6%
还要多。台积电也非常活跃，想抢先将GAA商业化。
三星表示，与台积电在技术方面的竞争近身肉搏，Jeong说：“三星的晶圆代工事业2017
年才开始，不过我们将以在记忆芯片领域的技术根基，超车台积电。”他举例三星曾在台
积电之前，就将FinFET技术应用在一项14MHz产品。