2021年6月28日
晶圆代工龙头台积电（2330）明年持续提升5奈米及优化后4奈米产能规模，3奈米亦将领
先全球首度进入量产，3DFabric先进封装布局同步开展。台积电积极建置完整晶圆制程及
3DIC设计生态系统，拉紧与独立第三方硅智财（IP）厂合作，M31（6643）及力旺（3529
）已打进在5奈米智慧型手机平台及高效能运算平台IP供应链，而M31亦是3DIC的基础元件
IP供应商之一。
台积电在今年技术论坛中说明5／4奈米及3奈米、3DFabric先进封装的设计生态系统已准
备就绪，支援智慧型手机平台及高效能运算平台。台积电借由5奈米量产经验，将4奈米晶
片尺寸缩小6％并保持相容性，预计明年下半年进入量产。3奈米基础硅智财已准备就绪并
可开始设计流程，与5奈米相较速度提升10～15％，功耗降低25～30％，逻辑密度提升1.7
倍，明年量产后将成为全球最先进技术。
台积电5奈米智慧型手机平台及高效能运算平台的设计生态系统，大量采用独立第三方供
应商已获验证IP，力旺及M31已分别打进5奈米非挥发性内存IP及高速接口IP供应链。其
中，力旺单次可编程（OTP）内存IP，及M31的USB 2.0及USB 3.x传输接口IP，已提供台
积电5奈米客户采用，明年可望再延续至4奈米制程并协助完成芯片设计定案。
力旺前5个月营收10.81亿元，较去年同期成长36.8％，创下历年同期新高。M31前5个月营
收3.49亿元，较去年同期成长3.7％，改写历年同期新高。法人看好力旺及M31后续可望再
度打进3奈米智慧型手机平台及高效能运算平台的IP供应链行列。
台积电配合晶圆制程微缩，建置支援系统创新的3DFabric整合技术及3DIC设计生态系统。
台积电3DIC设计流程和电子设计自动化（EDA）工具已就绪，可用于整合型扇出（InFO）
、基板上晶圆上芯片封装（CoWoS）、及先进的系统整合芯片（TSMC-SoIC）设计，包括用
于测试接口、时序分析、热分析的多芯片设计，并同步开发3D基础和接口IP以满足第一波
客户的设计需求。
M31的基础元件IP亦打进台积电3DIC供应链。台积电3DIC独立第三方IP供应链中，M31成为
属于基础元件IP的热传感（Thermal Sensors）IP供应商之一，包括应用在InFO及CoWoS等
先进封装的已完成硅前制程开发套件，至于TSMC-SoIC部份仍在研发及计画阶段。
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