GaN RF器件市场将于2026年成长至24亿美元
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根据市场分析公司Yole Développement报告预测，GaN射频器件市场正以 18%的年复合成
长率，从2020年的8.91亿美元增长到2026年的超过24亿美元。并预计到2026年，GaN射频
器件市场将由国防和5G电信基础设施应用主导，分别占整个市场的49%和41%。尤其是，到
2026年，基于GaN的大型/微型基地领域将占GaN电信基础建设市场的95%以上。
在RF GaN产业，一切都始于GaN-on-SiC技术。20多年前推出的GaN-on-SiC 现在已成为射
频功率应用中硅LDMOS（Lateral Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor；横向双
扩散金属氧化物半导体）和砷化镓（GaAs）的有力竞争对手。
Yole Développement表示，鉴于新兴的GaN RF市场，近年来的显著投资一直在塑造未来
供需之间的关系。例如：设备的市场领导者SEDI（住友电工设备创新）已与领先的SiC晶
圆供应商II-VI合作进行垂直整合。
在5G电信和国防领域的推动下，GaN-on-SiC技术在高功率密度和导热性方面仍然是首选。
除了在军用雷达方面的深度渗透外，GaN-on-SiC也一直是华为、诺基亚、三星等电信厂商
在5G MIMO基础设施的选择。
由于其高频宽和效率，GaN-on-SiC器件在5G市场，不断从LDMOS中抢夺更多占有率，并开
始从6吋晶圆平台中受益。预估GaN-on-SiC器件市场正以17% 的年复合成长率从2020年的
3.42亿美元增长到2026年的22.22亿美元。
在2020年，恩智浦在美国亚利桑那州建立了世界上第一家6吋的GaN-on-SiC晶圆厂。因此
，GaN-on-SiC基板正从4吋转到6吋的过渡中，预计未来几年将加速。
在代工层面，台湾的稳懋半导体等主要参与者正在扩大产能以满足不断增长的市场需求。
此外，在中国有山东天岳、中国电科、海威华芯和三安集成等公司，山东天岳在上海投资
了一个新的6吋工厂。
GaN-on-Si作为挑战者，有望借由提供具有成本效益和可扩展性的解决方案，来说获得市
场青睐。尽管截至2021年第二季为止，其市场仍旧很小，但GaN-on-Si PA因其具备较大频
宽和小尺寸也正吸引智慧型手机厂商的注意。预估随着创新厂商的重大技术进步，其可能
很快就会被一些Sub-6GHz的5G手机采用。这标志着GaN-on-Si射频的一个里程碑。
随着MACOM和意法半导体于2019年合作在6吋平台上的开发，GlobalFoundries和Raytheon
于2021年宣布也建立合作伙伴关系，以瞄准5G无线应用、国防及其他领域。Yole预估，在
手机以及国防和5G电信基础建设应用的推动下，GaN-on-Si器件市场正以86%的年复合成长
率前进，进而让2020年不到500万美元的市场，成长到2026年的1.73亿美元的规模。